使用PTB7作为阳极修饰层提高有机发光二极管的性能

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黄迪, 徐征, 赵谡玲. 2014: 使用PTB7作为阳极修饰层提高有机发光二极管的性能, 物理学报, null(2): 027301. doi: 10.7498/aps.63.027301
引用本文: 黄迪, 徐征, 赵谡玲. 2014: 使用PTB7作为阳极修饰层提高有机发光二极管的性能, 物理学报, null(2): 027301. doi: 10.7498/aps.63.027301
Huang Di, Xu Zheng, Zhao Su-Ling. 2014: Enhanced p erformance of organic light-emitting dio des by using PTB7 as ano de mo dification layer, Acta Physica Sinica, null(2): 027301. doi: 10.7498/aps.63.027301
Citation: Huang Di, Xu Zheng, Zhao Su-Ling. 2014: Enhanced p erformance of organic light-emitting dio des by using PTB7 as ano de mo dification layer, Acta Physica Sinica, null(2): 027301. doi: 10.7498/aps.63.027301

使用PTB7作为阳极修饰层提高有机发光二极管的性能

Enhanced p erformance of organic light-emitting dio des by using PTB7 as ano de mo dification layer

  • 摘要: 采用poly[[4,8-bis[(2-ethylhexyl)oxy]benzo[1,2-b:4,5-b’]dithiophene-2,6-diyl][3-fluoro-2-[(2-ethylhexyl) carbonyl]thieno[3,4-b]thiophenediyl]](PTB7)作为有机发光二极管器件的阳极修饰层,制备了结构为indium tin oxide (ITO)/PTB7(不同浓度)/N, N’-Bis(naphthalen-1-yl)-N, N’-bis(phenyl)benzidine (NPB,40 nm)/8-hydroxyquinoline (Alq3,60 nm)/LiF (1 nm)/Al的系列器件,同时研究了不同浓度的PTB7对器件性能的影响. PTB7的最佳浓度为0.25 mg/mL,器件性能得到明显的改善,起亮电压为4.3 V.当驱动电压为14.6 V时,最大亮度为45800 cd/m2,最大电流效率为9.1 cd/A.与没有PTB7修饰的器件相比,其起亮电压降低了1.9 V,最高亮度提升了78.5%.器件性能提高归因于PTB7的插入使得空穴注入和传输能力大大改善.
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出版历程
  • 刊出日期:  2014-01-30

使用PTB7作为阳极修饰层提高有机发光二极管的性能

  • 北京交通大学,发光与光信息技术教育部重点实验室,北京 100044; 北京交通大学光电子技术研究所,北京 100044

摘要: 采用poly[[4,8-bis[(2-ethylhexyl)oxy]benzo[1,2-b:4,5-b’]dithiophene-2,6-diyl][3-fluoro-2-[(2-ethylhexyl) carbonyl]thieno[3,4-b]thiophenediyl]](PTB7)作为有机发光二极管器件的阳极修饰层,制备了结构为indium tin oxide (ITO)/PTB7(不同浓度)/N, N’-Bis(naphthalen-1-yl)-N, N’-bis(phenyl)benzidine (NPB,40 nm)/8-hydroxyquinoline (Alq3,60 nm)/LiF (1 nm)/Al的系列器件,同时研究了不同浓度的PTB7对器件性能的影响. PTB7的最佳浓度为0.25 mg/mL,器件性能得到明显的改善,起亮电压为4.3 V.当驱动电压为14.6 V时,最大亮度为45800 cd/m2,最大电流效率为9.1 cd/A.与没有PTB7修饰的器件相比,其起亮电压降低了1.9 V,最高亮度提升了78.5%.器件性能提高归因于PTB7的插入使得空穴注入和传输能力大大改善.

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