20GeS2·80Sb2S3硫系玻璃的析晶行为及动力学机理研究*

上一篇

下一篇

杨志清, 王飞利, 林常规. 2013: 20GeS2·80Sb2S3硫系玻璃的析晶行为及动力学机理研究*, 物理学报, null(18): 236-240. doi: 10.7498/aps.62.184211
引用本文: 杨志清, 王飞利, 林常规. 2013: 20GeS2·80Sb2S3硫系玻璃的析晶行为及动力学机理研究*, 物理学报, null(18): 236-240. doi: 10.7498/aps.62.184211
Yang Zhi-Qing, Wang Fei-Li, Lin Chang-Gui. 2013: Crystallization behavior and kinetics mechanism of 20GeS2·80Sb2S3 chalcogenide glass, Acta Physica Sinica, null(18): 236-240. doi: 10.7498/aps.62.184211
Citation: Yang Zhi-Qing, Wang Fei-Li, Lin Chang-Gui. 2013: Crystallization behavior and kinetics mechanism of 20GeS2·80Sb2S3 chalcogenide glass, Acta Physica Sinica, null(18): 236-240. doi: 10.7498/aps.62.184211

20GeS2·80Sb2S3硫系玻璃的析晶行为及动力学机理研究*

Crystallization behavior and kinetics mechanism of 20GeS2·80Sb2S3 chalcogenide glass

  • 摘要: 实现玻璃微晶化过程控制的基础是要充分认识其析晶行为及动力学机理.利用示差扫描量热法和析晶热处理等手段,研究发现20GeS2·80Sb2S3硫系玻璃属于表面析晶,在268?C (Tg+30?C)下热处理60 h,可以获得表面约40μm的Sb2S3晶层复合玻璃陶瓷样品.在此基础上,利用非等温法从理论上分析该玻璃的析晶动力学机理.计算得到其析晶活化能Ec为(223.6±24.1) kJ·mol?1,在热处理温度(268?C)下的析晶速率常数K为1.23×10?4 s?1,属于较难析晶的玻璃组成;玻璃的晶体生长指数m和晶体生长维数n均为2,表明其Sb2 S3相的析晶行为是二维生长过程,与析晶实验结果完全相符.由此可知,对于Sb2S3晶体复合的硫系玻璃陶瓷样品可通过玻璃粉末压片烧结、带铸法或丝网印刷法制备获得,为今后功能硫系玻璃的开发提供实验依据和理论指导.
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  388
  • HTML全文浏览数:  56
  • PDF下载数:  0
  • 施引文献:  0
出版历程
  • 刊出日期:  2013-09-30

20GeS2·80Sb2S3硫系玻璃的析晶行为及动力学机理研究*

  • 宁波大学红外材料及器件实验室,宁波,315211

摘要: 实现玻璃微晶化过程控制的基础是要充分认识其析晶行为及动力学机理.利用示差扫描量热法和析晶热处理等手段,研究发现20GeS2·80Sb2S3硫系玻璃属于表面析晶,在268?C (Tg+30?C)下热处理60 h,可以获得表面约40μm的Sb2S3晶层复合玻璃陶瓷样品.在此基础上,利用非等温法从理论上分析该玻璃的析晶动力学机理.计算得到其析晶活化能Ec为(223.6±24.1) kJ·mol?1,在热处理温度(268?C)下的析晶速率常数K为1.23×10?4 s?1,属于较难析晶的玻璃组成;玻璃的晶体生长指数m和晶体生长维数n均为2,表明其Sb2 S3相的析晶行为是二维生长过程,与析晶实验结果完全相符.由此可知,对于Sb2S3晶体复合的硫系玻璃陶瓷样品可通过玻璃粉末压片烧结、带铸法或丝网印刷法制备获得,为今后功能硫系玻璃的开发提供实验依据和理论指导.

English Abstract

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回