InAs双壁管状团簇及双壁纳米管结构、稳定性和电子特性的第一性原理研究

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吴鹏, 刘立仁, 祝恒江, 邹艳波, 刘志锋. 2012: InAs双壁管状团簇及双壁纳米管结构、稳定性和电子特性的第一性原理研究, 物理学报, 61(24): 168-177.
引用本文: 吴鹏, 刘立仁, 祝恒江, 邹艳波, 刘志锋. 2012: InAs双壁管状团簇及双壁纳米管结构、稳定性和电子特性的第一性原理研究, 物理学报, 61(24): 168-177.
2012: Structures, stabilities and electronic properties of InAs double-walled tubelike clusters and nanotubes, Acta Physica Sinica, 61(24): 168-177.
Citation: 2012: Structures, stabilities and electronic properties of InAs double-walled tubelike clusters and nanotubes, Acta Physica Sinica, 61(24): 168-177.

InAs双壁管状团簇及双壁纳米管结构、稳定性和电子特性的第一性原理研究

Structures, stabilities and electronic properties of InAs double-walled tubelike clusters and nanotubes

  • 摘要: 利用第一性原理研究InAs双壁管状团簇及其双壁纳米管的几何结构、稳定性和电子特性.几何结构分析表明,In(3pk+4p)/2As(3pk+4p)/2(p=6,8,10,k=3,4,…,11)双壁管状团簇的几何构型符合欧拉公式,并得到In(3pk+4p)/2As(3pk+4p)/2双壁管状团簇及(m,n)@(2m,2n)(m=n=3,4,5)型InAs纳米管的管径公式.电子特性的计算结果表明:[6,k]@[12,k+2]型管状团簇和(3,3)Q(6,6)型纳米管稳定性最高;利用前线轨道随尺寸的变化规律,得到InAs双壁管状团簇的生长机理,阐明实验合成InAs纳米管的微观机理;态密度和能带研究结果表明,InAs双壁管状团簇及双壁纳米管都具有半导体特性.
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出版历程
  • 刊出日期:  2012-12-30

InAs双壁管状团簇及双壁纳米管结构、稳定性和电子特性的第一性原理研究

  • 新疆师范大学物理与电子工程学院,乌鲁木齐,830054
  • 重庆大学物理学院凝聚态物理研究所,重庆,401331

摘要: 利用第一性原理研究InAs双壁管状团簇及其双壁纳米管的几何结构、稳定性和电子特性.几何结构分析表明,In(3pk+4p)/2As(3pk+4p)/2(p=6,8,10,k=3,4,…,11)双壁管状团簇的几何构型符合欧拉公式,并得到In(3pk+4p)/2As(3pk+4p)/2双壁管状团簇及(m,n)@(2m,2n)(m=n=3,4,5)型InAs纳米管的管径公式.电子特性的计算结果表明:[6,k]@[12,k+2]型管状团簇和(3,3)Q(6,6)型纳米管稳定性最高;利用前线轨道随尺寸的变化规律,得到InAs双壁管状团簇的生长机理,阐明实验合成InAs纳米管的微观机理;态密度和能带研究结果表明,InAs双壁管状团簇及双壁纳米管都具有半导体特性.

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