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低剂量率60Coγ辐线辐照下SOIMOS器件的退化机理

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商怀超, 刘红侠, 卓青青. 2012: 低剂量率60Coγ辐线辐照下SOIMOS器件的退化机理, 物理学报, 61(24): 403-409.
引用本文: 商怀超, 刘红侠, 卓青青. 2012: 低剂量率60Coγ辐线辐照下SOIMOS器件的退化机理, 物理学报, 61(24): 403-409.
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2012: Degradation mechanism of SOI NMOS devices exposed to 60Coγ-ray at low dose rate, Acta Physica Sinica, 61(24): 403-409.
Citation: 2012: Degradation mechanism of SOI NMOS devices exposed to 60Coγ-ray at low dose rate, Acta Physica Sinica, 61(24): 403-409.
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低剂量率60Coγ辐线辐照下SOIMOS器件的退化机理

  • 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安710071

Degradation mechanism of SOI NMOS devices exposed to 60Coγ-ray at low dose rate

  • 摘要: 本文通过实验分析了O．8μm工艺H形栅SOIMOS器件在低剂量率下的1射线总剂量效应．实验结果表明，总剂量相同时，低剂量率的辐照效应更严重，关态偏置条件下的阈值电压漂移大于开态，辐照引起NMOS器件发生kink效应时的漏极电压％升高．研究结果表明：界面态对PMOS器件亚阈值斜率和跨导退化的影响作用不同，主要原因是栅极偏置不同使起作用的界面态数量不同．
    Abstract: The total dose effect of 0.8μm SOI NMOS device with H-gate is analyzed. The device is exposed to 60Co γ-ray at low dose rate. The result shows that the irradiation effect is more serious at low dose rate for the same total irradiation dose. The threshold voltage shift in on state is lower than in off state. Irradiation leads to the increased drain voltage VD of kink effect. Because the number of effective interface traps varies with gate bias, interface trap has different influences on sub-threshold slope and transconductance.
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出版历程
  • 刊出日期:  2012-12-30

低剂量率60Coγ辐线辐照下SOIMOS器件的退化机理

  • 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安710071

摘要: 本文通过实验分析了O．8μm工艺H形栅SOIMOS器件在低剂量率下的1射线总剂量效应．实验结果表明，总剂量相同时，低剂量率的辐照效应更严重，关态偏置条件下的阈值电压漂移大于开态，辐照引起NMOS器件发生kink效应时的漏极电压％升高．研究结果表明：界面态对PMOS器件亚阈值斜率和跨导退化的影响作用不同，主要原因是栅极偏置不同使起作用的界面态数量不同．

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