生长在Si基底上VOx纳米管形貌的时间影响因子及其气敏性初探

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李明阳, 于明朗, 苏庆, 刘雪芹, 谢二庆, 张晓倩. 2012: 生长在Si基底上VOx纳米管形貌的时间影响因子及其气敏性初探, 物理学报, 61(23): 362-368.
引用本文: 李明阳, 于明朗, 苏庆, 刘雪芹, 谢二庆, 张晓倩. 2012: 生长在Si基底上VOx纳米管形貌的时间影响因子及其气敏性初探, 物理学报, 61(23): 362-368.
2012: Time influence factor of vanadium oxide nanotube on Si substrate and initial gas sensing test, Acta Physica Sinica, 61(23): 362-368.
Citation: 2012: Time influence factor of vanadium oxide nanotube on Si substrate and initial gas sensing test, Acta Physica Sinica, 61(23): 362-368.

生长在Si基底上VOx纳米管形貌的时间影响因子及其气敏性初探

Time influence factor of vanadium oxide nanotube on Si substrate and initial gas sensing test

  • 摘要: 采用水热法成功制备了在Si基底上的钒氧化物纳米管.通过X射线衍射、拉曼光谱、扫描电子显微镜对纳米管的结构和形貌进行了表征,测试了在不同的搅拌时间和水热反应时间下纳米管形貌的变化以及气敏性质.着重探讨了不同的搅拌时间和水热反应时间对样品形貌和气敏特性的影响.结果表明,水热反应时间越长,样品管状形貌越好,边缘越平滑.其气敏敏感度越好,响应时间也比水热反应时问短的样品要快.VOx纳米管内径分布在25-35nm,外径分布在65-100nm.
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出版历程
  • 刊出日期:  2012-12-15

生长在Si基底上VOx纳米管形貌的时间影响因子及其气敏性初探

  • 兰州大学物理学院,兰州,730000

摘要: 采用水热法成功制备了在Si基底上的钒氧化物纳米管.通过X射线衍射、拉曼光谱、扫描电子显微镜对纳米管的结构和形貌进行了表征,测试了在不同的搅拌时间和水热反应时间下纳米管形貌的变化以及气敏性质.着重探讨了不同的搅拌时间和水热反应时间对样品形貌和气敏特性的影响.结果表明,水热反应时间越长,样品管状形貌越好,边缘越平滑.其气敏敏感度越好,响应时间也比水热反应时问短的样品要快.VOx纳米管内径分布在25-35nm,外径分布在65-100nm.

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