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基于表面势的氢化非晶硅薄膜晶体管直流特性研究

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陈晓雪, 姚若河. 2012: 基于表面势的氢化非晶硅薄膜晶体管直流特性研究, 物理学报, 61(23): 416-421.
引用本文: 陈晓雪, 姚若河. 2012: 基于表面势的氢化非晶硅薄膜晶体管直流特性研究, 物理学报, 61(23): 416-421.
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2012: DC characteristic research based on surface potential for a-Si : H thin-film transistor, Acta Physica Sinica, 61(23): 416-421.
Citation: 2012: DC characteristic research based on surface potential for a-Si : H thin-film transistor, Acta Physica Sinica, 61(23): 416-421.
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基于表面势的氢化非晶硅薄膜晶体管直流特性研究

  • 华南理工大学电子与信息学院,广州,510640

DC characteristic research based on surface potential for a-Si : H thin-film transistor

  • 摘要: 基于表面势模型，在同时考虑深能态和带尾态分布下，采用简化的费米一狄拉克函数计算得到统一的定域态模型，并利用有效特征温度的概念，推导出a-Si：HHT统一的电流．电压（I-V）模型．该模型可不分区地描述包括亚阈值区、线性区以及饱和区等a-Si：HTI可的所有工作区域．与实验得到的I-V特性进行比较表明，本模型能够准确地描述a-Si：HTFT的各个工作区的电流电压特性．
    Abstract: In this paper, based on the surface potential model, taking into account both the deep and tail state distributions simultaneously, and using the simplified Fermi-Dirac function, a unified local-state model is obtained. Using the effective characteristic temperature, the unified current-voltage (l-V) model for a-Si : H thin-film transistor a-Si : H TFT is developed. This model can describes all operating regions including subthreshold region, linear area and saturated zone through a single equation. By comparison with the experimental data, it is shown that this model can accurately describe the current voltage characteristic of the a-Si : H TFT.
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出版历程
  • 刊出日期:  2012-12-15

基于表面势的氢化非晶硅薄膜晶体管直流特性研究

  • 华南理工大学电子与信息学院,广州,510640

摘要: 基于表面势模型，在同时考虑深能态和带尾态分布下，采用简化的费米一狄拉克函数计算得到统一的定域态模型，并利用有效特征温度的概念，推导出a-Si：HHT统一的电流．电压（I-V）模型．该模型可不分区地描述包括亚阈值区、线性区以及饱和区等a-Si：HTI可的所有工作区域．与实验得到的I-V特性进行比较表明，本模型能够准确地描述a-Si：HTFT的各个工作区的电流电压特性．

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