反位缺陷对碳化硅纳米管电子结构和光学性质影响研究

宋久旭; 杨银堂; 郭立新; 王平; 张志勇

西安电子科技大学理学院,西安710071 西安石油大学电子工程学院,西安710065

宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学微电子学院,西安710071

西安电子科技大学理学院,西安,710071

西北大学信息科学与技术学院,西安,710127

Investigation on influence of antisite defects on electronic structure and optical properties of silicon carbide nanotube

摘要: 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算对含有反位缺陷（5，5）单壁碳化硅纳米管的电子结构和光学性质进行了研究．纳米管进行结构优化的结果显示，Csi缺陷在纳米管表面形成了凹陷，Sic缺陷形成了凸起；反位缺陷在纳米管的导带底附近形成了缺陷能级，使纳米管表现出n型导电的特点，由价带顶到缺陷能级的跃迁，在垂直和平行于纳米管管轴方向上形成了新的介电峰．

关键词:

Abstract: Electronic structure and optical properties of a (5, 5) single-walled silicon carbide nanotube are studied with first principles calculation based on density functional theory. Depression and salient are formed near Csl defect and Sic defect in the surface of the nanotube. Defect energy levels are formed near the bottom of conduction band, which results in an n-type conductivity for nanotubes with antisite defects. In dielectric functions parallel and perpendicular to the axis of the nanotube, novel resonance peak is formed from transitions between top of the conduction band and the defect energy level.

反位缺陷对碳化硅纳米管电子结构和光学性质影响研究

西安电子科技大学理学院,西安710071 西安石油大学电子工程学院,西安710065

宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学微电子学院,西安710071

西安电子科技大学理学院,西安,710071

西北大学信息科学与技术学院,西安,710127

关键词:

Investigation on influence of antisite defects on electronic structure and optical properties of silicon carbide nanotube

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