Mg5SnB2O10:Eu3+, Bi3+—-一种用于发光二极管的红色荧光粉的制备及其发光性能的研究

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王倩, 慈志鹏, 王育华, 朱革, 温艳, 刘碧桃, 阙美丹. 2012: Mg5SnB2O10:Eu3+, Bi3+—-一种用于发光二极管的红色荧光粉的制备及其发光性能的研究, 物理学报, 61(21): 460-465.
引用本文: 王倩, 慈志鹏, 王育华, 朱革, 温艳, 刘碧桃, 阙美丹. 2012: Mg5SnB2O10:Eu3+, Bi3+—-一种用于发光二极管的红色荧光粉的制备及其发光性能的研究, 物理学报, 61(21): 460-465.
2012: Preparation and luminescence properties of a red phosphor Mg5SnB2O10:Eu3+, Bi3+ for light emitting diode, Acta Physica Sinica, 61(21): 460-465.
Citation: 2012: Preparation and luminescence properties of a red phosphor Mg5SnB2O10:Eu3+, Bi3+ for light emitting diode, Acta Physica Sinica, 61(21): 460-465.

Mg5SnB2O10:Eu3+, Bi3+—-一种用于发光二极管的红色荧光粉的制备及其发光性能的研究

Preparation and luminescence properties of a red phosphor Mg5SnB2O10:Eu3+, Bi3+ for light emitting diode

  • 摘要: 采用高温固相法成功合成了单一相的Eu3+, Bi3+共掺的Mg5SnB2O10红色荧光粉, 并通过X射线衍射、漫反射光谱、光致发光光谱等手段对该体系的结构及其发光特性进行了测试和研究. 激发光谱表明, 该荧光粉在393 nm呈现Eu3+的7F0—5L6特征激发, 可以与用于发光二极管的近紫外芯片很好地匹配. 在393 nm激发下, 其发射光谱在591, 612, 701 nm处呈现Eu3+的5D0—7F1, 5D0—7F2, 5D0—7F4的特征发射. 并且当固定Eu3+的浓度时, 随着Bi3+含量的增加, 发现Bi3+, Eu3+在这一体系中存在能量传递现象, 系列样品发光强度大幅度提高. 通过研究系列样品在不同Bi3+, Eu3+掺杂浓度下的发光性能, 得出最佳样品为Mg4.89Eu0.1Bi0.01SnB2O10, 其积分强度达到了商用Y2O2S: Eu3+的1.1倍.
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出版历程
  • 刊出日期:  2012-11-15

Mg5SnB2O10:Eu3+, Bi3+—-一种用于发光二极管的红色荧光粉的制备及其发光性能的研究

  • 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000

摘要: 采用高温固相法成功合成了单一相的Eu3+, Bi3+共掺的Mg5SnB2O10红色荧光粉, 并通过X射线衍射、漫反射光谱、光致发光光谱等手段对该体系的结构及其发光特性进行了测试和研究. 激发光谱表明, 该荧光粉在393 nm呈现Eu3+的7F0—5L6特征激发, 可以与用于发光二极管的近紫外芯片很好地匹配. 在393 nm激发下, 其发射光谱在591, 612, 701 nm处呈现Eu3+的5D0—7F1, 5D0—7F2, 5D0—7F4的特征发射. 并且当固定Eu3+的浓度时, 随着Bi3+含量的增加, 发现Bi3+, Eu3+在这一体系中存在能量传递现象, 系列样品发光强度大幅度提高. 通过研究系列样品在不同Bi3+, Eu3+掺杂浓度下的发光性能, 得出最佳样品为Mg4.89Eu0.1Bi0.01SnB2O10, 其积分强度达到了商用Y2O2S: Eu3+的1.1倍.

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