简化共沉淀法制备CaCu3Ti4O12陶瓷及其介电性能研究

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贾然, 顾访, 吴珍华, 赵学童, 李建英. 2012: 简化共沉淀法制备CaCu3Ti4O12陶瓷及其介电性能研究, 物理学报, 61(20): 466-472.
引用本文: 贾然, 顾访, 吴珍华, 赵学童, 李建英. 2012: 简化共沉淀法制备CaCu3Ti4O12陶瓷及其介电性能研究, 物理学报, 61(20): 466-472.
2012: Dielectric properties of CaCu3Ti4O12 ceramics prepared by a simplified coprecipitation method, Acta Physica Sinica, 61(20): 466-472.
Citation: 2012: Dielectric properties of CaCu3Ti4O12 ceramics prepared by a simplified coprecipitation method, Acta Physica Sinica, 61(20): 466-472.

简化共沉淀法制备CaCu3Ti4O12陶瓷及其介电性能研究

Dielectric properties of CaCu3Ti4O12 ceramics prepared by a simplified coprecipitation method

  • 摘要: 具有巨介电常数的CaCu3Ti4O12陶瓷是一种理想的高储能密度电容器材料.本文以草酸为沉淀剂、以乙酸铵为调节pH值的定量缓冲剂,获得制备CaCu3Ti4O12陶瓷的简化共沉淀法.确定了pH=3.0为制备前驱粉料的最佳反应条件.通过显微分析和介电性能测量,发现在1040℃-1100℃范围内,随着烧结温度的提高,陶瓷的晶粒尺寸增大,非线性系数上升,电位梯度和介电损耗下降,1100℃烧结的试样tan占最低达到0.04.认为CaCu3Ti4O12陶瓷介电损耗包含直流电导分量、低频松弛损耗和高频松弛损耗.低频松弛活化能为0.51eV,对应于晶界处的Maxwell-Wagner松弛极化;高频松弛过程活化能为0.10eV,对应晶粒内部的氧空位缺陷.烧结温度的升高导致晶界电阻下降.‘
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出版历程
  • 刊出日期:  2012-10-30

简化共沉淀法制备CaCu3Ti4O12陶瓷及其介电性能研究

  • 西安交通大学,电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安710049

摘要: 具有巨介电常数的CaCu3Ti4O12陶瓷是一种理想的高储能密度电容器材料.本文以草酸为沉淀剂、以乙酸铵为调节pH值的定量缓冲剂,获得制备CaCu3Ti4O12陶瓷的简化共沉淀法.确定了pH=3.0为制备前驱粉料的最佳反应条件.通过显微分析和介电性能测量,发现在1040℃-1100℃范围内,随着烧结温度的提高,陶瓷的晶粒尺寸增大,非线性系数上升,电位梯度和介电损耗下降,1100℃烧结的试样tan占最低达到0.04.认为CaCu3Ti4O12陶瓷介电损耗包含直流电导分量、低频松弛损耗和高频松弛损耗.低频松弛活化能为0.51eV,对应于晶界处的Maxwell-Wagner松弛极化;高频松弛过程活化能为0.10eV,对应晶粒内部的氧空位缺陷.烧结温度的升高导致晶界电阻下降.‘

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