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载流子导引的折射率变化偏振相关性研究

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缪庆元, 崔俊, 胡蕾蕾, 何健, 何平安, 黄德修. 2012: 载流子导引的折射率变化偏振相关性研究, 物理学报, 61(20): 503-507.
引用本文: 缪庆元, 崔俊, 胡蕾蕾, 何健, 何平安, 黄德修. 2012: 载流子导引的折射率变化偏振相关性研究, 物理学报, 61(20): 503-507.
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2012: Polarization dependence of carrier-induced refractive index change, Acta Physica Sinica, 61(20): 503-507.
Citation: 2012: Polarization dependence of carrier-induced refractive index change, Acta Physica Sinica, 61(20): 503-507.
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载流子导引的折射率变化偏振相关性研究

  • 武汉大学电子信息学院,武汉,430072

  • 武汉光迅科技股份有限公司,武汉,430205

  • 华中科技大学光电子科学与工程学院,武汉,430074

Polarization dependence of carrier-induced refractive index change

  • 摘要: 分析了载流子浓度、张应变量大小、量子阱阱宽和量子阱垒区材料组分对量子阱结构TE模和TM模折射率变化的影响．综合调配以上参数得到1530---1570nm波长范围内同时具有大的折射率变化量（10^-2量级）和折射率变化低偏振相关（10^-4量级）的量子阱结构．研究表明，不同的调配参数组合可以得到同一波长范围内基本一致的折射率变化谱．
    Abstract: The influences of carrier density, tensile strain, well width and barrier material component on the refractive index changes of TE mode and TM mode in quantum well are analyzed. Then the quantum wells having characteristics of both large refractive index change (on the order of 10^-2) and low polarization dependence (on the order of 10^-4) in a wavelength range from 1530 nm to 1570 nm are designed by comprehensively integrating the parameters above. The result shows that almost the same spectra of refractive index change can be acquired by integrating different groups of parameters.
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出版历程
  • 刊出日期:  2012-10-30

载流子导引的折射率变化偏振相关性研究

  • 武汉大学电子信息学院,武汉,430072
  • 武汉光迅科技股份有限公司,武汉,430205
  • 华中科技大学光电子科学与工程学院,武汉,430074

摘要: 分析了载流子浓度、张应变量大小、量子阱阱宽和量子阱垒区材料组分对量子阱结构TE模和TM模折射率变化的影响．综合调配以上参数得到1530---1570nm波长范围内同时具有大的折射率变化量（10^-2量级）和折射率变化低偏振相关（10^-4量级）的量子阱结构．研究表明，不同的调配参数组合可以得到同一波长范围内基本一致的折射率变化谱．

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