类氖等电子系列离子基态的双电子复合速率系数研究

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杨建会, 范强, 张建平. 2012: 类氖等电子系列离子基态的双电子复合速率系数研究, 物理学报, 61(19): 123-130.
引用本文: 杨建会, 范强, 张建平. 2012: 类氖等电子系列离子基态的双电子复合速率系数研究, 物理学报, 61(19): 123-130.
2012: The study of dielectronic recombination (DR) rate coefficient for ground state of Ne-like isoelectronic sequence ions, Acta Physica Sinica, 61(19): 123-130.
Citation: 2012: The study of dielectronic recombination (DR) rate coefficient for ground state of Ne-like isoelectronic sequence ions, Acta Physica Sinica, 61(19): 123-130.

类氖等电子系列离子基态的双电子复合速率系数研究

The study of dielectronic recombination (DR) rate coefficient for ground state of Ne-like isoelectronic sequence ions

  • 摘要: 使用全相对论组态相互作用方法,能级-能级细致计算了0.1EI≤kTe≤10EI(EI是类钠离子基态的第一电离能)温度范围内类氖离子基态双电子复合(DR)速率系数,双激发自电离能级考虑了(2s2p)73ln′l′,(2s2p)74l4l′以及(2s2p)74l5l′组态.对于(2s2p)73ln′l′双激发自电离组态,轨道角量子数l′〉8的(2s2p)73ln′l′双激发自电离态对双电子复合速率系数的贡献可以忽略不计;(2s2p)73ln′l′双激发自电离组态的高里德堡态对双电子复合速率系数的贡献满足n′-3组态-组态外推法,并且核电荷数越大,趋于n′-3标度的n′值越小;对细致能级计算得到的类氖离子基态的总DR速率系数进行了拟合,得到类氖离子基态的总DR速率系数随核电荷数Z和电子温度变化的经验公式,该拟合公式与细致计算结果的偏差在2%以内,能较准确的计算任意核电荷数Z的类氖离子在0.1EI≤kTe≤10EI电子温度范围的DR速率系数.Burgess-Merts(BM)近似公式不适用于估算低温(kTe〈0.3EI)类氖离子的DR速率系数,在高温(kTe〉2EI)时,类氖离子的DR速率系数可以用BM近似公式表示.
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出版历程
  • 刊出日期:  2012-10-15

类氖等电子系列离子基态的双电子复合速率系数研究

  • 乐山师范学院物理与电子工程学院,乐山,614004

摘要: 使用全相对论组态相互作用方法,能级-能级细致计算了0.1EI≤kTe≤10EI(EI是类钠离子基态的第一电离能)温度范围内类氖离子基态双电子复合(DR)速率系数,双激发自电离能级考虑了(2s2p)73ln′l′,(2s2p)74l4l′以及(2s2p)74l5l′组态.对于(2s2p)73ln′l′双激发自电离组态,轨道角量子数l′〉8的(2s2p)73ln′l′双激发自电离态对双电子复合速率系数的贡献可以忽略不计;(2s2p)73ln′l′双激发自电离组态的高里德堡态对双电子复合速率系数的贡献满足n′-3组态-组态外推法,并且核电荷数越大,趋于n′-3标度的n′值越小;对细致能级计算得到的类氖离子基态的总DR速率系数进行了拟合,得到类氖离子基态的总DR速率系数随核电荷数Z和电子温度变化的经验公式,该拟合公式与细致计算结果的偏差在2%以内,能较准确的计算任意核电荷数Z的类氖离子在0.1EI≤kTe≤10EI电子温度范围的DR速率系数.Burgess-Merts(BM)近似公式不适用于估算低温(kTe〈0.3EI)类氖离子的DR速率系数,在高温(kTe〉2EI)时,类氖离子的DR速率系数可以用BM近似公式表示.

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