用于电压基准的Nb/NbxSi1—x/Nb约瑟夫森单结的研制

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曹文会, 李劲劲, 钟青, 郭小玮, 贺青, 迟宗涛. 2012: 用于电压基准的Nb/NbxSi1—x/Nb约瑟夫森单结的研制, 物理学报, 61(17): 28-32.
引用本文: 曹文会, 李劲劲, 钟青, 郭小玮, 贺青, 迟宗涛. 2012: 用于电压基准的Nb/NbxSi1—x/Nb约瑟夫森单结的研制, 物理学报, 61(17): 28-32.
2012: Fabrication and characterization of single Nb/NbxSi1-x/Nb Josephson junction for voltage standard, Acta Physica Sinica, 61(17): 28-32.
Citation: 2012: Fabrication and characterization of single Nb/NbxSi1-x/Nb Josephson junction for voltage standard, Acta Physica Sinica, 61(17): 28-32.

用于电压基准的Nb/NbxSi1—x/Nb约瑟夫森单结的研制

Fabrication and characterization of single Nb/NbxSi1-x/Nb Josephson junction for voltage standard

  • 摘要: 现代可编程约瑟夫森电压基准的核心器件是约瑟夫森结阵.目前最具有优势的约瑟夫森结阵是 Nb/NbxSi1-x/Nb材料的结阵. Nb/NbxSi1-x/Nb材料的约瑟夫森结 具有三层薄膜的制作过程简便, Nb和NbxSi1-x刻蚀工艺相同以及NbxSi1-x 势垒层成分可调等优点.中国计量科学研究院设计制作了Nb/NbxSi1-x/Nb约瑟夫森单结. 通过在4.2 K低温下对所做单结进行直流电流-电压特性测量,观测到了清晰的超导隧穿电流和 从零电压态向电压态的跳变,最后就测量结果进行了分析讨论.此项工作属于国内首个开展 Nb/NbxSi1-x/Nb材料约瑟夫森单结研究的工作.
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出版历程
  • 刊出日期:  2012-09-15

用于电压基准的Nb/NbxSi1—x/Nb约瑟夫森单结的研制

  • 中国计量科学研究院,电磁研究所,北京100013
  • 青岛大学,自动化工程学院,青岛266003

摘要: 现代可编程约瑟夫森电压基准的核心器件是约瑟夫森结阵.目前最具有优势的约瑟夫森结阵是 Nb/NbxSi1-x/Nb材料的结阵. Nb/NbxSi1-x/Nb材料的约瑟夫森结 具有三层薄膜的制作过程简便, Nb和NbxSi1-x刻蚀工艺相同以及NbxSi1-x 势垒层成分可调等优点.中国计量科学研究院设计制作了Nb/NbxSi1-x/Nb约瑟夫森单结. 通过在4.2 K低温下对所做单结进行直流电流-电压特性测量,观测到了清晰的超导隧穿电流和 从零电压态向电压态的跳变,最后就测量结果进行了分析讨论.此项工作属于国内首个开展 Nb/NbxSi1-x/Nb材料约瑟夫森单结研究的工作.

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