四光束干涉单次曝光构造含平面缺陷三维周期性微纳结构

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陈小军, 张自丽, 葛辉良. 2012: 四光束干涉单次曝光构造含平面缺陷三维周期性微纳结构, 物理学报, 61(17): 308-313.
引用本文: 陈小军, 张自丽, 葛辉良. 2012: 四光束干涉单次曝光构造含平面缺陷三维周期性微纳结构, 物理学报, 61(17): 308-313.
2012: Fabricating three-dimensional periodic micro-structure with planar defects via a single exposure, Acta Physica Sinica, 61(17): 308-313.
Citation: 2012: Fabricating three-dimensional periodic micro-structure with planar defects via a single exposure, Acta Physica Sinica, 61(17): 308-313.

四光束干涉单次曝光构造含平面缺陷三维周期性微纳结构

Fabricating three-dimensional periodic micro-structure with planar defects via a single exposure

  • 摘要: 本文使用多光束干涉方法构造三维周期性微纳结构.通过多次匀胶与单次曝光结合, 在负光刻胶SU8上刻蚀出含平面缺陷的类金刚石结构(fcc-like)光子晶体.扫描电子显微镜(SEM)观测显示, 相比无缺陷光子晶体结构,该结构在(111)晶面上存在清晰可见的平面缺陷.通过控制匀胶时的转速, 可以精确控制平面缺陷厚度在适合的范围.傅里叶红外反射光谱测试显示完整周期微纳结构在(111)方向上 有明显的特征峰,两个特征反射峰中心波长接近1.2 μm和2.4 μm. 含缺陷的结构则在反射光谱特征峰中掺入了明显的凹陷,并且随着平面缺陷的厚度增大, 缺陷模从处于2.4 μm禁带移至1.2 μm禁带处.提取SEM图中的结构参数, 用FDTD方法模拟分析,发现模拟结果与实验值基本一致,证明了平面缺陷不但存在,而且面积较大.
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出版历程
  • 刊出日期:  2012-09-15

四光束干涉单次曝光构造含平面缺陷三维周期性微纳结构

  • 香港科技大学物理系,香港 杭州应用声学研究所,杭州310012
  • 杭州应用声学研究所,杭州,310012

摘要: 本文使用多光束干涉方法构造三维周期性微纳结构.通过多次匀胶与单次曝光结合, 在负光刻胶SU8上刻蚀出含平面缺陷的类金刚石结构(fcc-like)光子晶体.扫描电子显微镜(SEM)观测显示, 相比无缺陷光子晶体结构,该结构在(111)晶面上存在清晰可见的平面缺陷.通过控制匀胶时的转速, 可以精确控制平面缺陷厚度在适合的范围.傅里叶红外反射光谱测试显示完整周期微纳结构在(111)方向上 有明显的特征峰,两个特征反射峰中心波长接近1.2 μm和2.4 μm. 含缺陷的结构则在反射光谱特征峰中掺入了明显的凹陷,并且随着平面缺陷的厚度增大, 缺陷模从处于2.4 μm禁带移至1.2 μm禁带处.提取SEM图中的结构参数, 用FDTD方法模拟分析,发现模拟结果与实验值基本一致,证明了平面缺陷不但存在,而且面积较大.

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