高k介质在新型半导体器件中的应用

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黄力, 黄安平, 郑晓虎, 肖志松, 王玫. 2012: 高k介质在新型半导体器件中的应用, 物理学报, 61(13): 473-480.
引用本文: 黄力, 黄安平, 郑晓虎, 肖志松, 王玫. 2012: 高k介质在新型半导体器件中的应用, 物理学报, 61(13): 473-480.
2012: Application of high-k dielectrics in nove semiconductor devices, Acta Physica Sinica, 61(13): 473-480.
Citation: 2012: Application of high-k dielectrics in nove semiconductor devices, Acta Physica Sinica, 61(13): 473-480.

高k介质在新型半导体器件中的应用

Application of high-k dielectrics in nove semiconductor devices

  • 摘要: 当CMOS器件特征尺寸缩小到45 nm以下,SiO_2作为栅介质材料已经无法满足性能和功耗的需要,用高k材料替代SiO_2是必然选择.然而,由于高k材料自身存在局限性,且与器件其他部分的兼容性差,产生了很多新的问题如界面特性差、阈值电压增大、迁移率降低等.本文简要回顾了高k栅介质在平面型硅基器件中应用存在的问题以及从材料、结构和工艺等方面采取的解决措施,重点介绍了高k材料在新型半导体器件中的应用,并展望了未来的发展趋势.
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出版历程
  • 刊出日期:  2012-07-15

高k介质在新型半导体器件中的应用

  • 北京航空航天大学电子信息工程学院,北京,100191
  • 北京航空航天大学物理科学与核能工程学院,北京,100191

摘要: 当CMOS器件特征尺寸缩小到45 nm以下,SiO_2作为栅介质材料已经无法满足性能和功耗的需要,用高k材料替代SiO_2是必然选择.然而,由于高k材料自身存在局限性,且与器件其他部分的兼容性差,产生了很多新的问题如界面特性差、阈值电压增大、迁移率降低等.本文简要回顾了高k栅介质在平面型硅基器件中应用存在的问题以及从材料、结构和工艺等方面采取的解决措施,重点介绍了高k材料在新型半导体器件中的应用,并展望了未来的发展趋势.

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