裂纹或气泡对熔石英损伤修复坑场调制的近场模拟

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章春来, 刘春明, 向霞, 戴威, 王治国, 李莉, 袁晓东, 贺少勃, 祖小涛. 2012: 裂纹或气泡对熔石英损伤修复坑场调制的近场模拟, 物理学报, 61(12): 319-330.
引用本文: 章春来, 刘春明, 向霞, 戴威, 王治国, 李莉, 袁晓东, 贺少勃, 祖小涛. 2012: 裂纹或气泡对熔石英损伤修复坑场调制的近场模拟, 物理学报, 61(12): 319-330.
2012: Near-field modulated simulation of repaired site contained crack or bubble in fused silica subsurface, Acta Physica Sinica, 61(12): 319-330.
Citation: 2012: Near-field modulated simulation of repaired site contained crack or bubble in fused silica subsurface, Acta Physica Sinica, 61(12): 319-330.

裂纹或气泡对熔石英损伤修复坑场调制的近场模拟

Near-field modulated simulation of repaired site contained crack or bubble in fused silica subsurface

  • 摘要: 建立了含有裂纹或气泡的高斯型修复坑的3维模型,用3维时域有限差分方法研究了熔石英后表面该类缺陷对355nm入射激光的近场调制.研究表明,裂纹的调制明显大于气泡或者高斯坑本身,因此为了抑制修复元件的初始损伤,应尽量避免任何未修复的裂纹存在,尤其是与入射光呈夹角约25。的裂纹,同时应避免尺寸大于5A的气泡存在.当裂纹或气泡位于近表面层3入以内且靠近修复坑环边缘时,对场的调制最明显.随着侧移的增加,近表面区缺陷诱导场叠加,强点总数涨落较大且易形成极大峰值,特别是含有裂纹的情形;远表面区强点总数逐渐增大并趋于稳定.随着嵌深的增加,强点的数目大体呈减弱趋势,当嵌深大于3A时,逐渐趋于平缓振荡.如果裂纹或气泡位于坑点正下方几个波长内,激光辐照下其效果相当于延长了高斯坑的深度.
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出版历程
  • 刊出日期:  2012-06-30

裂纹或气泡对熔石英损伤修复坑场调制的近场模拟

  • 电子科技大学物理电子学院,成都,610054
  • 电子科技大学物理电子学院,成都610054 中国工程物理研究院激光聚变研究中心,绵阳621900
  • 中国工程物理研究院激光聚变研究中心,绵阳,621900

摘要: 建立了含有裂纹或气泡的高斯型修复坑的3维模型,用3维时域有限差分方法研究了熔石英后表面该类缺陷对355nm入射激光的近场调制.研究表明,裂纹的调制明显大于气泡或者高斯坑本身,因此为了抑制修复元件的初始损伤,应尽量避免任何未修复的裂纹存在,尤其是与入射光呈夹角约25。的裂纹,同时应避免尺寸大于5A的气泡存在.当裂纹或气泡位于近表面层3入以内且靠近修复坑环边缘时,对场的调制最明显.随着侧移的增加,近表面区缺陷诱导场叠加,强点总数涨落较大且易形成极大峰值,特别是含有裂纹的情形;远表面区强点总数逐渐增大并趋于稳定.随着嵌深的增加,强点的数目大体呈减弱趋势,当嵌深大于3A时,逐渐趋于平缓振荡.如果裂纹或气泡位于坑点正下方几个波长内,激光辐照下其效果相当于延长了高斯坑的深度.

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