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高迁移率InGaAs／InP量子阱中的有效g因子

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魏来明, 周远明, 俞国林, 高矿红, 刘新智, 林铁, 郭少令, 戴宁, 褚君浩, AustingDavidGuy. 2012: 高迁移率InGaAs／InP量子阱中的有效g因子, 物理学报, 61(12): 435-441.
引用本文: 魏来明, 周远明, 俞国林, 高矿红, 刘新智, 林铁, 郭少令, 戴宁, 褚君浩, AustingDavidGuy. 2012: 高迁移率InGaAs／InP量子阱中的有效g因子, 物理学报, 61(12): 435-441.
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2012: Effective g-factor in high-mobility InGaAs/InP quantum well, Acta Physica Sinica, 61(12): 435-441.
Citation: 2012: Effective g-factor in high-mobility InGaAs/InP quantum well, Acta Physica Sinica, 61(12): 435-441.
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高迁移率InGaAs／InP量子阱中的有效g因子

  • 中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海200083

  • 湖北工业大学电气与电子工程学院,武汉,430068

  • 中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海200083 华东师范大学信息科学技术学院,极化材料与器件教育部重点实验室,上海200241

  • I拿大国家研究院微结构研究所,渥太华K1AOR6

Effective g-factor in high-mobility InGaAs/InP quantum well

  • 摘要: 利用化学束外延法制备了高迁移率的In0朋Ga0．47As／InP量子阱样品．在样品的低温磁输运测试中，观察到纵向磁阻的Shubnikov—deHass（SdH）振荡和零场自旋分裂引起的拍频．本文提出一种解析的方法，即通过同时拟合不同倾斜磁场下SdH振荡的傅里叶变换谱，得到有效g因子的大小．
    Abstract: High-mobility lno.53Gao.47As/InP quantum well is fabricated by the chemical beam epitaxy technique. Clear Shubnikov-de Hass （SdH） oscillation and beating pattern due to zero-field spin splitting are observed by magnetotransport measurements at low temperature. We use an analytical method, involving the simultaneous fitting of fast Fourier transform spectra of SdH oscillations at different tilted fields, to extract the effective g-factor.
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出版历程
  • 刊出日期:  2012-06-30

高迁移率InGaAs／InP量子阱中的有效g因子

  • 中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海200083
  • 湖北工业大学电气与电子工程学院,武汉,430068
  • 中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海200083 华东师范大学信息科学技术学院,极化材料与器件教育部重点实验室,上海200241
  • I拿大国家研究院微结构研究所,渥太华K1AOR6

摘要: 利用化学束外延法制备了高迁移率的In0朋Ga0．47As／InP量子阱样品．在样品的低温磁输运测试中，观察到纵向磁阻的Shubnikov—deHass（SdH）振荡和零场自旋分裂引起的拍频．本文提出一种解析的方法，即通过同时拟合不同倾斜磁场下SdH振荡的傅里叶变换谱，得到有效g因子的大小．

English Abstract

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