熔石英后表面坑点型划痕对光场调制的近场模拟

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章春来, 王治国, 向霞, 刘春明, 李莉, 袁晓东, 贺少勃, 祖小涛. 2012: 熔石英后表面坑点型划痕对光场调制的近场模拟, 物理学报, 61(11): 306-313.
引用本文: 章春来, 王治国, 向霞, 刘春明, 李莉, 袁晓东, 贺少勃, 祖小涛. 2012: 熔石英后表面坑点型划痕对光场调制的近场模拟, 物理学报, 61(11): 306-313.
2012: Simulation of field intensification induced by pit-shaped crack on fused silica rear-surface, Acta Physica Sinica, 61(11): 306-313.
Citation: 2012: Simulation of field intensification induced by pit-shaped crack on fused silica rear-surface, Acta Physica Sinica, 61(11): 306-313.

熔石英后表面坑点型划痕对光场调制的近场模拟

Simulation of field intensification induced by pit-shaped crack on fused silica rear-surface

  • 摘要: 建立了坑点型划痕的旋转抛物面模型,用三维时域有限差分方法研究了熔石英后表面坑点型划痕随深度、宽度、间距以及酸蚀量变化对波长λ=355 nm入射激光的调制.研究表明,这类划痕调制最强区位于相邻两坑点的连接区,且越靠近表面调制越强.当其宽深比为2.0—3.5、坑点间距约为坑点宽度的1/2时,可获得最大光场调制,最大光强增强因子(LIEF)为11.53;当坑点间距大于坑点宽度时,其调制大为减弱,相当于单坑的场调制.对宽为60δ(δ=λ/12),深和间距均为30δ的坑点型划痕进行刻蚀模拟,刻蚀过程中最大LIEF为11.0,当间距小于300 nm时,相邻坑点由于衍射形成场贯通.
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出版历程
  • 刊出日期:  2012-06-15

熔石英后表面坑点型划痕对光场调制的近场模拟

  • 电子科技大学物理电子学院,成都,610054
  • 电子科技大学物理电子学院,成都610054 中国工程物理研究院激光聚变研究中心,绵阳621900
  • 中国工程物理研究院激光聚变研究中心,绵阳,621900

摘要: 建立了坑点型划痕的旋转抛物面模型,用三维时域有限差分方法研究了熔石英后表面坑点型划痕随深度、宽度、间距以及酸蚀量变化对波长λ=355 nm入射激光的调制.研究表明,这类划痕调制最强区位于相邻两坑点的连接区,且越靠近表面调制越强.当其宽深比为2.0—3.5、坑点间距约为坑点宽度的1/2时,可获得最大光场调制,最大光强增强因子(LIEF)为11.53;当坑点间距大于坑点宽度时,其调制大为减弱,相当于单坑的场调制.对宽为60δ(δ=λ/12),深和间距均为30δ的坑点型划痕进行刻蚀模拟,刻蚀过程中最大LIEF为11.0,当间距小于300 nm时,相邻坑点由于衍射形成场贯通.

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