点缺陷扶手型石墨烯量子点的电子性质研究

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姚志东, 李炜, 高先龙. 2012: 点缺陷扶手型石墨烯量子点的电子性质研究, 物理学报, 61(11): 449-454.
引用本文: 姚志东, 李炜, 高先龙. 2012: 点缺陷扶手型石墨烯量子点的电子性质研究, 物理学报, 61(11): 449-454.
2012: Electronic properties on the point vacancy of armchair edged graphene quantum dots, Acta Physica Sinica, 61(11): 449-454.
Citation: 2012: Electronic properties on the point vacancy of armchair edged graphene quantum dots, Acta Physica Sinica, 61(11): 449-454.

点缺陷扶手型石墨烯量子点的电子性质研究

Electronic properties on the point vacancy of armchair edged graphene quantum dots

  • 摘要: 基于有限差分方法,数值求解了Dirac方程,研究了垂直磁场下的点缺陷扶手型石墨烯量子点的能谱结构,分析了尺寸大小对带隙的影响.与无磁场时具有一定带隙(带隙的大小与半径成反比)的量子点相比,在外加有限磁场下,能谱中出现朗道能级,最低朗道能级能量为零并与磁场强度无关,并且朗道能级的简并度随着磁场的增加而增加.进一步的计算表明,最低朗道能级的简并度与磁场成线性关系,与半径的平方成线性关系.本文工作对基于石墨烯量子点的器件设计具有一定的指导意义.
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出版历程

点缺陷扶手型石墨烯量子点的电子性质研究

  • 浙江师范大学物理系,金华,321004
  • 复旦大学物理系,上海,200433

摘要: 基于有限差分方法,数值求解了Dirac方程,研究了垂直磁场下的点缺陷扶手型石墨烯量子点的能谱结构,分析了尺寸大小对带隙的影响.与无磁场时具有一定带隙(带隙的大小与半径成反比)的量子点相比,在外加有限磁场下,能谱中出现朗道能级,最低朗道能级能量为零并与磁场强度无关,并且朗道能级的简并度随着磁场的增加而增加.进一步的计算表明,最低朗道能级的简并度与磁场成线性关系,与半径的平方成线性关系.本文工作对基于石墨烯量子点的器件设计具有一定的指导意义.

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