用于反应堆中子/γ射线混合场测量的涂硼电离室性能

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陈国云, 辛勇, 黄福成, 魏志勇, 雷升杰, 黄三玻, 朱立, 赵经武, 马加一. 2012: 用于反应堆中子/γ射线混合场测量的涂硼电离室性能, 物理学报, 61(8): 127-134.
引用本文: 陈国云, 辛勇, 黄福成, 魏志勇, 雷升杰, 黄三玻, 朱立, 赵经武, 马加一. 2012: 用于反应堆中子/γ射线混合场测量的涂硼电离室性能, 物理学报, 61(8): 127-134.
2012: Performances of a boron-lined ionization chamber used in neutron/y-ray mixed field of reactors, Acta Physica Sinica, 61(8): 127-134.
Citation: 2012: Performances of a boron-lined ionization chamber used in neutron/y-ray mixed field of reactors, Acta Physica Sinica, 61(8): 127-134.

用于反应堆中子/γ射线混合场测量的涂硼电离室性能

Performances of a boron-lined ionization chamber used in neutron/y-ray mixed field of reactors

  • 摘要: 近年来,涂硼电离室已逐渐成为核反应堆周围大通量中子,1,射线混合场监测的辐射探测器之一.研制了一种高灵敏度涂硼电离室,并给出了其内部结构.用fA级弱电流放大器测得:当涂硼电离室的工作电压在700V以下时,漏电流小于1.0pA;用Am-Be中子源辐照时测得涂硼电离室的电流曲线坪长为500V坪斜为3.72X10-4V-1:当涂硼电离室的工作电压为400V时,对应漏电流为0.4pA.测试表明涂硼电离室中子信号电流与辐照源的相对位置有关,将Am-Be中子源置于距石蜡慢化体底部8cm时,测得中子信号电流最大值为2.0pA.用137Cs和90sr辐照时测得涂硼电离室v射线信号电流为1.0-2.0pA,但在1,射线场中坪特性不如中子场中坪特性明显.电离室中予探测灵敏度达1.0×10-15Acm2S量级,1,射线探测灵敏度达9.0×10-22Acm2S.eV-1量级.这种涂硼电离室漏电流小、灵敏度高、坪特性好,可用于反应堆周围的中子/γ射线混合场测量.
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出版历程
  • 刊出日期:  2012-04-30

用于反应堆中子/γ射线混合场测量的涂硼电离室性能

  • 南昌大学物理系,南昌330031/南京航空航天大学空间环境中心,南京210016
  • 南昌大学物理系,南昌,330031
  • 南京航空航天大学空间环境中心,南京,210016
  • 南京大学物理系,南京,210093

摘要: 近年来,涂硼电离室已逐渐成为核反应堆周围大通量中子,1,射线混合场监测的辐射探测器之一.研制了一种高灵敏度涂硼电离室,并给出了其内部结构.用fA级弱电流放大器测得:当涂硼电离室的工作电压在700V以下时,漏电流小于1.0pA;用Am-Be中子源辐照时测得涂硼电离室的电流曲线坪长为500V坪斜为3.72X10-4V-1:当涂硼电离室的工作电压为400V时,对应漏电流为0.4pA.测试表明涂硼电离室中子信号电流与辐照源的相对位置有关,将Am-Be中子源置于距石蜡慢化体底部8cm时,测得中子信号电流最大值为2.0pA.用137Cs和90sr辐照时测得涂硼电离室v射线信号电流为1.0-2.0pA,但在1,射线场中坪特性不如中子场中坪特性明显.电离室中予探测灵敏度达1.0×10-15Acm2S量级,1,射线探测灵敏度达9.0×10-22Acm2S.eV-1量级.这种涂硼电离室漏电流小、灵敏度高、坪特性好,可用于反应堆周围的中子/γ射线混合场测量.

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