射频磁控反应溅射制备的Ag_2O薄膜的椭圆偏振光谱研究

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马姣民, 梁艳, 郜小勇, 陈超, 赵孟珂, 卢景霄. 2012: 射频磁控反应溅射制备的Ag_2O薄膜的椭圆偏振光谱研究, 物理学报, 61(5): 361-365.
引用本文: 马姣民, 梁艳, 郜小勇, 陈超, 赵孟珂, 卢景霄. 2012: 射频磁控反应溅射制备的Ag_2O薄膜的椭圆偏振光谱研究, 物理学报, 61(5): 361-365.
2012: Spectroscopic ellipsometry study of the Ag2O film deposited by radio-frequency reactive magnetron sputtering, Acta Physica Sinica, 61(5): 361-365.
Citation: 2012: Spectroscopic ellipsometry study of the Ag2O film deposited by radio-frequency reactive magnetron sputtering, Acta Physica Sinica, 61(5): 361-365.

射频磁控反应溅射制备的Ag_2O薄膜的椭圆偏振光谱研究

Spectroscopic ellipsometry study of the Ag2O film deposited by radio-frequency reactive magnetron sputtering

  • 摘要: Ag_2O薄膜在新型超高存储密度光盘和磁光盘方面具有潜在的应用前景.利用射频磁控反应溅射技术,通过调节衬底温度在沉积气压为0.2 Pa、氧氩比为2:3的条件下制备了一系列Ag_2O薄膜.利用通用振子模型(包括1个Tauc-Lorentz振子和2个Lorentz振子)拟合了薄膜的椭圆偏振光谱.在1.5-3.5 eV能量区间,薄膜的折射率在2.2-2.7之间,消光系数在0.3-0.9之间.在3.5-4.5 eV能量区间,薄膜呈现了明显的反常色散,揭示Ag_2O薄膜的等离子体振荡频率在3.5-4.5 eV之间.随着衬底温度的升高,薄膜的光学吸收边总体上发生了红移,该红移归结于薄膜晶格微观应变随衬底温度的升高而增大.Ag_2O薄膜的光学常数表现出典型的介质材料特性.
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出版历程
  • 刊出日期:  2012-03-15

射频磁控反应溅射制备的Ag_2O薄膜的椭圆偏振光谱研究

  • 郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室,郑州,450052
  • 河南工业大学信息科学与技术学院,郑州,450052

摘要: Ag_2O薄膜在新型超高存储密度光盘和磁光盘方面具有潜在的应用前景.利用射频磁控反应溅射技术,通过调节衬底温度在沉积气压为0.2 Pa、氧氩比为2:3的条件下制备了一系列Ag_2O薄膜.利用通用振子模型(包括1个Tauc-Lorentz振子和2个Lorentz振子)拟合了薄膜的椭圆偏振光谱.在1.5-3.5 eV能量区间,薄膜的折射率在2.2-2.7之间,消光系数在0.3-0.9之间.在3.5-4.5 eV能量区间,薄膜呈现了明显的反常色散,揭示Ag_2O薄膜的等离子体振荡频率在3.5-4.5 eV之间.随着衬底温度的升高,薄膜的光学吸收边总体上发生了红移,该红移归结于薄膜晶格微观应变随衬底温度的升高而增大.Ag_2O薄膜的光学常数表现出典型的介质材料特性.

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