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Tm_2O_3相对于Si的能带偏移研究

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汪建军, 方泽波, 冀婷, 朱燕艳, 任维义, 张志娇. 2012: Tm_2O_3相对于Si的能带偏移研究, 物理学报, 61(1): 470-474.
引用本文: 汪建军, 方泽波, 冀婷, 朱燕艳, 任维义, 张志娇. 2012: Tm_2O_3相对于Si的能带偏移研究, 物理学报, 61(1): 470-474.
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2012: Band shifts of Tm_2O_3 films epitaxially grown on Si substrates, Acta Physica Sinica, 61(1): 470-474.
Citation: 2012: Band shifts of Tm_2O_3 films epitaxially grown on Si substrates, Acta Physica Sinica, 61(1): 470-474.
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Tm_2O_3相对于Si的能带偏移研究

  • 西华师范大学物理与电子信息学院,南充637002／绍兴文理学院物理系,绍兴312000

  • 绍兴文理学院物理系,绍兴,312000

  • 复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海,200433

  • 西华师范大学物理与电子信息学院,南充,637002

Band shifts of Tm_2O_3 films epitaxially grown on Si substrates

  • 摘要: 利用分子束外延系统在Si（001）衬底上制备了单晶Tm_2O_3薄膜,利用X射线光电子能谱研究了Tm_2O_3相对于Si的能带偏移.得出Tm_2O_3相对于Si的价带和导带偏移分别为3.1 eV±0.2 eV和1.9 eV±O.3 eV并得出了Tm_2O_3的禁带宽度为6.1 eV±0.2 eV.研究结果表明Tm_2O_3是一种很有前途的高κ栅介质候选材料.
    Abstract: The single crystalline Tm_2O_3 films are deposited on Si（001） substrates by molecular beam epitaxy,by using x-ray photoelectron spectroscopy,the valence and the conduction-band shifts of Tm_2O-3 to Si are obtained to be 3.1±0.2 eV and 1.9±0.3 eV,respectively. The energy gap of Er_2O_3 is determined to be 6.1±0.2 eV.The results of the study show that the Tm_2O_3 could be a promising candidate for high-κgate dielectrics.
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出版历程
  • 刊出日期:  2012-01-15

Tm_2O_3相对于Si的能带偏移研究

  • 西华师范大学物理与电子信息学院,南充637002／绍兴文理学院物理系,绍兴312000
  • 绍兴文理学院物理系,绍兴,312000
  • 复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海,200433
  • 西华师范大学物理与电子信息学院,南充,637002

摘要: 利用分子束外延系统在Si（001）衬底上制备了单晶Tm_2O_3薄膜,利用X射线光电子能谱研究了Tm_2O_3相对于Si的能带偏移.得出Tm_2O_3相对于Si的价带和导带偏移分别为3.1 eV±0.2 eV和1.9 eV±O.3 eV并得出了Tm_2O_3的禁带宽度为6.1 eV±0.2 eV.研究结果表明Tm_2O_3是一种很有前途的高κ栅介质候选材料.

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