接触电阻对碳纳米管场发射的影响

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吕文辉, 张帅. 2012: 接触电阻对碳纳米管场发射的影响, 物理学报, 61(1): 521-525.
引用本文: 吕文辉, 张帅. 2012: 接触电阻对碳纳米管场发射的影响, 物理学报, 61(1): 521-525.
2012: Effect of contact resistance on field emission from carbon nanotube, Acta Physica Sinica, 61(1): 521-525.
Citation: 2012: Effect of contact resistance on field emission from carbon nanotube, Acta Physica Sinica, 61(1): 521-525.

接触电阻对碳纳米管场发射的影响

Effect of contact resistance on field emission from carbon nanotube

  • 摘要: 基于改进的悬浮球模型。计算了碳纳米管和衬底间的接触电阻存在时碳纳米管顶端的局域电场,并结合FowlerNordhenim(F-N)场发射规律研究了接触电阻对碳纳米管场发射的影响.研究表明,接触电阻的存在,在高电场区域接触电阻抑制了碳纳米管的电子场发射,导致在高电场区域出现电流饱和及FN直线偏折现象.其原因可归结为接触电阻使得在碳纳米管顶端的局域电场相对于没有接触电阻时相对地减少.
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出版历程
  • 刊出日期:  2012-01-15

接触电阻对碳纳米管场发射的影响

  • 湛江师范学院物理系,湛江,524048
  • 湛江师范学院科技处,湛江,524048

摘要: 基于改进的悬浮球模型。计算了碳纳米管和衬底间的接触电阻存在时碳纳米管顶端的局域电场,并结合FowlerNordhenim(F-N)场发射规律研究了接触电阻对碳纳米管场发射的影响.研究表明,接触电阻的存在,在高电场区域接触电阻抑制了碳纳米管的电子场发射,导致在高电场区域出现电流饱和及FN直线偏折现象.其原因可归结为接触电阻使得在碳纳米管顶端的局域电场相对于没有接触电阻时相对地减少.

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