CuI/Al双层电极的有机场效应晶体管

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聂国政, 彭俊彪, 周仁龙. 2011: CuI/Al双层电极的有机场效应晶体管, 物理学报, 60(12): 518-523.
引用本文: 聂国政, 彭俊彪, 周仁龙. 2011: CuI/Al双层电极的有机场效应晶体管, 物理学报, 60(12): 518-523.
2011: Organic field-effect transistor with low-cost CuI/Al bilayer electrode, Acta Physica Sinica, 60(12): 518-523.
Citation: 2011: Organic field-effect transistor with low-cost CuI/Al bilayer electrode, Acta Physica Sinica, 60(12): 518-523.

CuI/Al双层电极的有机场效应晶体管

Organic field-effect transistor with low-cost CuI/Al bilayer electrode

  • 摘要: 制备了CuI/Al为源极和漏电极的并五苯基场效应晶体管.相对于纯金属(Al,Au)电极的晶体管,所研制的晶体管的迁移率、阈值电压VT、开关电流比Ion/Ioff等参数都有明显改善.研究发现,在Al电极与并五苯半导体之间引入CuI作为空穴注入层,能够明显降低Al电极与并五苯之间的空穴注入势垒.紫外-可见光谱和X射线光电子能谱数据表明,这种空穴注入势垒的降低源自并五苯和Al向CuI的电子转移.
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出版历程
  • 刊出日期:  2011-12-30

CuI/Al双层电极的有机场效应晶体管

  • 华南理工大学高分子光电材料与器件研究所,广州510640/湖南科技大学物理学院,湘潭411201
  • 华南理工大学高分子光电材料与器件研究所,广州510640/华南理工大学特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室,广州510640
  • 湖南科技大学物理学院,湘潭,411201

摘要: 制备了CuI/Al为源极和漏电极的并五苯基场效应晶体管.相对于纯金属(Al,Au)电极的晶体管,所研制的晶体管的迁移率、阈值电压VT、开关电流比Ion/Ioff等参数都有明显改善.研究发现,在Al电极与并五苯半导体之间引入CuI作为空穴注入层,能够明显降低Al电极与并五苯之间的空穴注入势垒.紫外-可见光谱和X射线光电子能谱数据表明,这种空穴注入势垒的降低源自并五苯和Al向CuI的电子转移.

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