基于单电子晶体管-金属氧化物场效应晶体管电路的离散混沌系统实现

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冯朝文, 蔡理, 康强, 彭卫东, 柏鹏, 王甲富. 2011: 基于单电子晶体管-金属氧化物场效应晶体管电路的离散混沌系统实现, 物理学报, 60(11): 86-91.
引用本文: 冯朝文, 蔡理, 康强, 彭卫东, 柏鹏, 王甲富. 2011: 基于单电子晶体管-金属氧化物场效应晶体管电路的离散混沌系统实现, 物理学报, 60(11): 86-91.
2011: Realization of the discrete chaotic system based on SET-MOS circuits, Acta Physica Sinica, 60(11): 86-91.
Citation: 2011: Realization of the discrete chaotic system based on SET-MOS circuits, Acta Physica Sinica, 60(11): 86-91.

基于单电子晶体管-金属氧化物场效应晶体管电路的离散混沌系统实现

Realization of the discrete chaotic system based on SET-MOS circuits

  • 摘要: 提出了一种利用单电子晶体管与金属氧化物半导体的混合结构(SET-MOS)实现离散混沌系统的方法.研究了两个并联结构的单电子晶体管在电流源偏置下的传输特性,并建立其相应的S形分段线性函数模型.基于该模型实现了一维离散映射系统,分析了它的动力学特性,包括一维映射过程、分岔图和Lyapunov指数等.最后利用SET-MOS混合电路设计出该离散混沌系统的电子电路,验证了理论分析和实现方法的正确性.研究结果表明,该方法不仅可行,而且物理实现结构简单,利于集成.
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出版历程
  • 刊出日期:  2011-11-30

基于单电子晶体管-金属氧化物场效应晶体管电路的离散混沌系统实现

  • 空军工程大学理学院,西安,710051
  • 空军工程大学科研部,西安,710051
  • 空军工程大学综合电子信息系统研究中心,西安,710051

摘要: 提出了一种利用单电子晶体管与金属氧化物半导体的混合结构(SET-MOS)实现离散混沌系统的方法.研究了两个并联结构的单电子晶体管在电流源偏置下的传输特性,并建立其相应的S形分段线性函数模型.基于该模型实现了一维离散映射系统,分析了它的动力学特性,包括一维映射过程、分岔图和Lyapunov指数等.最后利用SET-MOS混合电路设计出该离散混沌系统的电子电路,验证了理论分析和实现方法的正确性.研究结果表明,该方法不仅可行,而且物理实现结构简单,利于集成.

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