几种元素的界面插层对Ta/NiFe/Ta的各向异性磁电阻效应的影响

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许涌, 蔡建旺. 2011: 几种元素的界面插层对Ta/NiFe/Ta的各向异性磁电阻效应的影响, 物理学报, 60(11): 618-624.
引用本文: 许涌, 蔡建旺. 2011: 几种元素的界面插层对Ta/NiFe/Ta的各向异性磁电阻效应的影响, 物理学报, 60(11): 618-624.
2011: Effects of interfacial Ru,Pd,Ag,and Au insertion layers on the anisotropic magnetoresistance in Ta/NiFe/Ta trilayers, Acta Physica Sinica, 60(11): 618-624.
Citation: 2011: Effects of interfacial Ru,Pd,Ag,and Au insertion layers on the anisotropic magnetoresistance in Ta/NiFe/Ta trilayers, Acta Physica Sinica, 60(11): 618-624.

几种元素的界面插层对Ta/NiFe/Ta的各向异性磁电阻效应的影响

Effects of interfacial Ru,Pd,Ag,and Au insertion layers on the anisotropic magnetoresistance in Ta/NiFe/Ta trilayers

  • 摘要: 文章中,通过磁控溅射制备了界面处插入4d,5d元素薄层(包括Ru,Pd,Ag和Au)的Ta/NiFe/Ta多层膜,并对它们的磁输运和磁性以及微结构进行了测试和表征.结果显示,Pd和Pt一样界面效应显著,能有效地提高NiFe薄膜退火前后的AMR比值,并抑制磁性死层.表面能比较小、熔点相对低的插层材料Ag,Au在退火过程中容易通过晶界扩散,强烈破坏其AMR性能.对于熔点高、表面能比较大的插层材料如Ru,磁性死层同样得到了抑制,NiFe薄膜的温度稳定性也可以得到提高.结果表明界面插层从界面电子自旋-轨道散射、界面死层和界面原子扩散等方面深刻影响NiFe薄膜的AMR.
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出版历程
  • 刊出日期:  2011-11-30

几种元素的界面插层对Ta/NiFe/Ta的各向异性磁电阻效应的影响

  • 北京凝聚态物理国家实验室,中国科学院物理研究所,北京100190

摘要: 文章中,通过磁控溅射制备了界面处插入4d,5d元素薄层(包括Ru,Pd,Ag和Au)的Ta/NiFe/Ta多层膜,并对它们的磁输运和磁性以及微结构进行了测试和表征.结果显示,Pd和Pt一样界面效应显著,能有效地提高NiFe薄膜退火前后的AMR比值,并抑制磁性死层.表面能比较小、熔点相对低的插层材料Ag,Au在退火过程中容易通过晶界扩散,强烈破坏其AMR性能.对于熔点高、表面能比较大的插层材料如Ru,磁性死层同样得到了抑制,NiFe薄膜的温度稳定性也可以得到提高.结果表明界面插层从界面电子自旋-轨道散射、界面死层和界面原子扩散等方面深刻影响NiFe薄膜的AMR.

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