基于减反膜外腔反馈半导体激光器拉曼光的产生

上一篇

下一篇

张艳峰, 李刚, 张玉驰, 张鹏飞, 王军民, 张天才. 2011: 基于减反膜外腔反馈半导体激光器拉曼光的产生, 物理学报, 60(10): 302-306.
引用本文: 张艳峰, 李刚, 张玉驰, 张鹏飞, 王军民, 张天才. 2011: 基于减反膜外腔反馈半导体激光器拉曼光的产生, 物理学报, 60(10): 302-306.
2011: Generation of Raman light source with an anti-reflection-coated edge-emitting laser diode in an external cavity, Acta Physica Sinica, 60(10): 302-306.
Citation: 2011: Generation of Raman light source with an anti-reflection-coated edge-emitting laser diode in an external cavity, Acta Physica Sinica, 60(10): 302-306.

基于减反膜外腔反馈半导体激光器拉曼光的产生

Generation of Raman light source with an anti-reflection-coated edge-emitting laser diode in an external cavity

  • 摘要: 通过直接对减反膜外腔反馈半导体激光器进行电流调制的方法,得到了两束位相锁定且频率差在6.0—9.3GHz范围内连续可调的激光,其中6.835和9.192GHz分别对应Rb87和Cs133原子基态超精细能级之间的频率差,激光功率分别可以达到6.87mW和5.09mW.根据减反膜外腔反馈半导体激光器的特点,通过调整外腔腔长、激光器工作温度、电流以及所加射频调制信号的功率和频率,在调制频率小于等于4.0GHz时可以将载波完全压制.调制频率大于4.0GHz时,虽不能将载波完全压制,但由于外腔与调制频率共振时对调制的增强也得到了调制深度很高的激光,并对其中的物理机理作了分析.通过后续滤波等方法处理以后,该拉曼光源可以广泛应用到原子的量子操控中.
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  365
  • HTML全文浏览数:  46
  • PDF下载数:  0
  • 施引文献:  0
出版历程
  • 刊出日期:  2011-10-30

基于减反膜外腔反馈半导体激光器拉曼光的产生

  • 山西大学光电研究所,量子光学与光量子器件国家重点实验室,太原030006

摘要: 通过直接对减反膜外腔反馈半导体激光器进行电流调制的方法,得到了两束位相锁定且频率差在6.0—9.3GHz范围内连续可调的激光,其中6.835和9.192GHz分别对应Rb87和Cs133原子基态超精细能级之间的频率差,激光功率分别可以达到6.87mW和5.09mW.根据减反膜外腔反馈半导体激光器的特点,通过调整外腔腔长、激光器工作温度、电流以及所加射频调制信号的功率和频率,在调制频率小于等于4.0GHz时可以将载波完全压制.调制频率大于4.0GHz时,虽不能将载波完全压制,但由于外腔与调制频率共振时对调制的增强也得到了调制深度很高的激光,并对其中的物理机理作了分析.通过后续滤波等方法处理以后,该拉曼光源可以广泛应用到原子的量子操控中.

English Abstract

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回