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电子束辐照诱导Bi：α-BaB_2O_4单晶近红外宽带发光的研究

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赵衡煜, 俞平胜, 郭鑫, 苏良碧, 李欣年, 方晓明, 杨秋红, 徐军. 2011: 电子束辐照诱导Bi：α-BaB_2O_4单晶近红外宽带发光的研究, 物理学报, 60(9): 658-662.
引用本文: 赵衡煜, 俞平胜, 郭鑫, 苏良碧, 李欣年, 方晓明, 杨秋红, 徐军. 2011: 电子束辐照诱导Bi：α-BaB_2O_4单晶近红外宽带发光的研究, 物理学报, 60(9): 658-662.
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2011: Near-infrared broadband emission spectroscopic properties of Bi： α-BaB_2 O_4 single crystal induced by electron irradiation, Acta Physica Sinica, 60(9): 658-662.
Citation: 2011: Near-infrared broadband emission spectroscopic properties of Bi： α-BaB_2 O_4 single crystal induced by electron irradiation, Acta Physica Sinica, 60(9): 658-662.
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电子束辐照诱导Bi：α-BaB_2O_4单晶近红外宽带发光的研究

  • 上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系,上海200072／中国科学院透明与光功能无机材料重点实验室,上海硅酸盐研究所,上海201800

  • 中国科学院透明与光功能无机材料重点实验室,上海硅酸盐研究所,上海201800

  • 上海大学射线应用研究所,上海,201800

  • 上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系,上海,200072

Near-infrared broadband emission spectroscopic properties of Bi： α-BaB_2 O_4 single crystal induced by electron irradiation

  • 摘要: 用提拉法技术生长出了Bi：α-BaB2O4单晶,并进行电子束辐照.测定了电子束辐照前后的吸收谱和荧光发射谱.在808nm波长激光二极管的激发下,电子束辐照后的Bi：α-BaB2O4单晶中观测到了中心波长在1135nm附近、半高宽为52nm左右的近红外宽带发光现象.近红外宽带发光的发光中心是Bi＋离子.电子束射线起到了将Bi3＋和Bi2＋还原至一价态的作用.本文通过对比发现,在不同的辐照剂量处理后的过程中发光中心Bi＋离子的产生机理是不相同的,并对其物理化学过程进行了初步的探讨.
    Abstract: Bi：α-BaB2O4 crystal samples are grown by the traditional Czochralski method and the obtained samples are irradiated by electron beam. Absorption and emission spectra of the samples are measured at room temperature before and after their electron irradiation. Under 808 nm LD excitation, broadband （FWHM at 52 nm） near-infrared emissions centered at about 1135 nm are observed in electron-irradiated Bi：α-BaB2O4 samples. Both the emissions are believed to be due to Bi＋ ions. Electron beam helps to reduce Bi3＋ and Bi2＋ into univalence. The formation processes in the samples with different radiation doses are not the same, which is primarily discussed in this work.
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出版历程
  • 刊出日期:  2011-09-30

电子束辐照诱导Bi：α-BaB_2O_4单晶近红外宽带发光的研究

  • 上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系,上海200072／中国科学院透明与光功能无机材料重点实验室,上海硅酸盐研究所,上海201800
  • 中国科学院透明与光功能无机材料重点实验室,上海硅酸盐研究所,上海201800
  • 上海大学射线应用研究所,上海,201800
  • 上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系,上海,200072

摘要: 用提拉法技术生长出了Bi：α-BaB2O4单晶,并进行电子束辐照.测定了电子束辐照前后的吸收谱和荧光发射谱.在808nm波长激光二极管的激发下,电子束辐照后的Bi：α-BaB2O4单晶中观测到了中心波长在1135nm附近、半高宽为52nm左右的近红外宽带发光现象.近红外宽带发光的发光中心是Bi＋离子.电子束射线起到了将Bi3＋和Bi2＋还原至一价态的作用.本文通过对比发现,在不同的辐照剂量处理后的过程中发光中心Bi＋离子的产生机理是不相同的,并对其物理化学过程进行了初步的探讨.

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