高级搜索

GaAs自旋注入及巨霍尔效应的研究

downloadPDF

上一篇

下一篇

王志明. 2011: GaAs自旋注入及巨霍尔效应的研究, 物理学报, 60(7): 608-611.
引用本文: 王志明. 2011: GaAs自旋注入及巨霍尔效应的研究, 物理学报, 60(7): 608-611.
shu
2011: Spin injection in GaAs and giant Hall effect, Acta Physica Sinica, 60(7): 608-611.
Citation: 2011: Spin injection in GaAs and giant Hall effect, Acta Physica Sinica, 60(7): 608-611.
shu

GaAs自旋注入及巨霍尔效应的研究

  • 南京理工大学机械工程学院,南京,210094

    • 通讯作者: 王志明

Spin injection in GaAs and giant Hall effect

    Corresponding author:

  • 摘要: 在自旋电子学研究中，一般以超晶格结构、自旋阀、隧道结来实现，另一种自旋注入典型方法是稀磁半导体材料，如GaMnAs，本文通过颗粒膜实现自旋注入，利用磁控溅射法将Fe颗粒嵌入GaAs阵体上，制备r（GaAs）19Fe81颗粒膜样品，在室温条件下观测到15μΩ·cm最大饱和霍尔电阻率，该效应比纯铁的饱和霍尔电阻率大了一个数量级，成功地实现了自旋注入．
    Abstract: In spintronics, general spin injection is achieved by the superlattice, spin valve, tunnel junction, other typical method of spin injection is to dilute magnetic semiconductor such as： GaMnAs. In this paper, spin Fe particles are injected into the GaAs matrix by using the magnetron sputtering to form the granular film （GaAs） 19 Fe81, in which saturated Hall resistivity pxys, is shown to be 15 μΩ·cm at room temperature, which is about 2 orders larger than that of pure Fe. So the spin injection is successfully realized.
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  326
  • HTML全文浏览数:  34
  • PDF下载数:  0
  • 施引文献:  0
出版历程
  • 刊出日期:  2011-07-30

GaAs自旋注入及巨霍尔效应的研究

    通讯作者: 王志明
  • 南京理工大学机械工程学院,南京,210094

摘要: 在自旋电子学研究中，一般以超晶格结构、自旋阀、隧道结来实现，另一种自旋注入典型方法是稀磁半导体材料，如GaMnAs，本文通过颗粒膜实现自旋注入，利用磁控溅射法将Fe颗粒嵌入GaAs阵体上，制备r（GaAs）19Fe81颗粒膜样品，在室温条件下观测到15μΩ·cm最大饱和霍尔电阻率，该效应比纯铁的饱和霍尔电阻率大了一个数量级，成功地实现了自旋注入．

English Abstract

    全文HTML

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回