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808nm大孔径垂直腔面发射激光器研究

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郝永芹, 冯源, 王菲, 晏长岭, 赵英杰, 王晓华, 王玉霞, 姜会林, 高欣, 薄报学. 2011: 808nm大孔径垂直腔面发射激光器研究, 物理学报, 60(6): 293-297.
引用本文: 郝永芹, 冯源, 王菲, 晏长岭, 赵英杰, 王晓华, 王玉霞, 姜会林, 高欣, 薄报学. 2011: 808nm大孔径垂直腔面发射激光器研究, 物理学报, 60(6): 293-297.
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Hao Yong-Qin, Feng Yuan, Wang Fei, Yan Chang-Ling, Zhao Ying-Jie, Wang Xiao-Hua, Wang Yu-Xia, Jiang Hui-Lin, Gao Xin, Bo Bao-Xue. 2011: 808nm vertical-cavity surface-emitting laser with large aperture, Acta Physica Sinica, 60(6): 293-297.
Citation: Hao Yong-Qin, Feng Yuan, Wang Fei, Yan Chang-Ling, Zhao Ying-Jie, Wang Xiao-Hua, Wang Yu-Xia, Jiang Hui-Lin, Gao Xin, Bo Bao-Xue. 2011: 808nm vertical-cavity surface-emitting laser with large aperture, Acta Physica Sinica, 60(6): 293-297.
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808nm大孔径垂直腔面发射激光器研究

  • 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022

808nm vertical-cavity surface-emitting laser with large aperture

  • 摘要: 垂直腔面发射激光器(VCSEL)中的载流子聚集效应使注入到有源区的工作电流只是通过边缘环形区域很窄的通道,激光功率密度分布不均匀;尤其当器件尺寸较大时,激射光斑呈现环状,环中间光强很弱.这是研制电抽运高功率大尺寸VCSEL尤为突出的技术难题.采用新型结构成功研制出808 nm波段高功率大孔径VCSEL,在注入电流为1A时,室温下连续输出功率达0.3 W.
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出版历程
  • 刊出日期:  2011-06-30

808nm大孔径垂直腔面发射激光器研究

  • 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022

摘要: 垂直腔面发射激光器(VCSEL)中的载流子聚集效应使注入到有源区的工作电流只是通过边缘环形区域很窄的通道,激光功率密度分布不均匀;尤其当器件尺寸较大时,激射光斑呈现环状,环中间光强很弱.这是研制电抽运高功率大尺寸VCSEL尤为突出的技术难题.采用新型结构成功研制出808 nm波段高功率大孔径VCSEL,在注入电流为1A时,室温下连续输出功率达0.3 W.

English Abstract

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