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锗硅/硅异质结材料的化学气相淀积生长动力学模型

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戴显英, 金国强, 董洁琼, 王船宝, 赵娴, 楚亚萍, 奚鹏程, 邓文洪, 张鹤鸣, 郝跃. 2011: 锗硅/硅异质结材料的化学气相淀积生长动力学模型, 物理学报, 60(6): 440-446.
引用本文: 戴显英, 金国强, 董洁琼, 王船宝, 赵娴, 楚亚萍, 奚鹏程, 邓文洪, 张鹤鸣, 郝跃. 2011: 锗硅/硅异质结材料的化学气相淀积生长动力学模型, 物理学报, 60(6): 440-446.
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Dai Xian-Ying, Jin Guo-Qiang, Dong Jie-Qiong, Wang Chuan-Bao, Zhao Xian, Chu Ya-Ping, Xi Peng-Cheng, Deng Wen-Hong, Zhang He-Ming, Hao Yue. 2011: A kinetics model for the chemical vapor deposition growth of SiGe/Si heterojunction materials, Acta Physica Sinica, 60(6): 440-446.
Citation: Dai Xian-Ying, Jin Guo-Qiang, Dong Jie-Qiong, Wang Chuan-Bao, Zhao Xian, Chu Ya-Ping, Xi Peng-Cheng, Deng Wen-Hong, Zhang He-Ming, Hao Yue. 2011: A kinetics model for the chemical vapor deposition growth of SiGe/Si heterojunction materials, Acta Physica Sinica, 60(6): 440-446.
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锗硅/硅异质结材料的化学气相淀积生长动力学模型

  • 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安710071

A kinetics model for the chemical vapor deposition growth of SiGe/Si heterojunction materials

  • 摘要: 基于化学气相淀积(CVD)的Grove理论和Fick第一定律,提出并建立了锗硅(SiGe)/硅(Si)异质结材料减压化学气相淀积(RPCVD)生长动力学模型.与以前锗硅/硅异质结材料生长动力学模型仅考虑表面反应控制不同,本模型同时考虑了表面反应和气相传输两种控制机理,并给出了两种控制机理极限情况下的模型.本模型不仅适用于低温锗硅/硅应变异质结材料生长的表征,也适用于表征高温锗硅/硅弛豫异质结材料生长的表征.将模型计算值与实验结果进行了对比,无论是625℃低温下的应变SiGe的生长,还是900℃高温下的弛豫SiGe的生长,其模型误差均小于10%.
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出版历程
  • 刊出日期:  2011-06-30

锗硅/硅异质结材料的化学气相淀积生长动力学模型

  • 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安710071

摘要: 基于化学气相淀积(CVD)的Grove理论和Fick第一定律,提出并建立了锗硅(SiGe)/硅(Si)异质结材料减压化学气相淀积(RPCVD)生长动力学模型.与以前锗硅/硅异质结材料生长动力学模型仅考虑表面反应控制不同,本模型同时考虑了表面反应和气相传输两种控制机理,并给出了两种控制机理极限情况下的模型.本模型不仅适用于低温锗硅/硅应变异质结材料生长的表征,也适用于表征高温锗硅/硅弛豫异质结材料生长的表征.将模型计算值与实验结果进行了对比,无论是625℃低温下的应变SiGe的生长,还是900℃高温下的弛豫SiGe的生长,其模型误差均小于10%.

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