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铒离子注入碳化硅的射程和退火行为研究

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秦希峰, 梁毅, 王凤翔, 李双, 付刚, 季艳菊. 2011: 铒离子注入碳化硅的射程和退火行为研究, 物理学报, 60(6): 483-487.
引用本文: 秦希峰, 梁毅, 王凤翔, 李双, 付刚, 季艳菊. 2011: 铒离子注入碳化硅的射程和退火行为研究, 物理学报, 60(6): 483-487.
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Qin Xi-Feng, Liang Yi, Wang Feng-Xiang, Li Shuang, Fu Gang, Ji Yan-Ju. 2011: Range and annealing behavior of Er ions implanted in SiC, Acta Physica Sinica, 60(6): 483-487.
Citation: Qin Xi-Feng, Liang Yi, Wang Feng-Xiang, Li Shuang, Fu Gang, Ji Yan-Ju. 2011: Range and annealing behavior of Er ions implanted in SiC, Acta Physica Sinica, 60(6): 483-487.
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铒离子注入碳化硅的射程和退火行为研究

  • 山东建筑大学理学院,济南,250101

Range and annealing behavior of Er ions implanted in SiC

  • 摘要: 用300-500keV能量的铒(Er)离子注入碳化硅(6H-SiC)晶体中,利用卢瑟福背散射技术研究了剂量为5×1015cm-2的Er离子注入6H-SiC晶体的平均投影射程Rp和射程离散ΔRp,将测出的实验值和TRIM软件得到的理论模拟值进行了比较,发现Rp的实验值与理论值符合较好,ΔRp的实验值和理论值差别大一些.结果表明,注入剂量一定时,注入能量越高,晶格损伤程度越高.1400℃的高温退火,可以实现6H-SiC的完美再晶化,但伴随着产生了Er原子向表面的外逸出.
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出版历程
  • 刊出日期:  2011-06-30

铒离子注入碳化硅的射程和退火行为研究

  • 山东建筑大学理学院,济南,250101

摘要: 用300-500keV能量的铒(Er)离子注入碳化硅(6H-SiC)晶体中,利用卢瑟福背散射技术研究了剂量为5×1015cm-2的Er离子注入6H-SiC晶体的平均投影射程Rp和射程离散ΔRp,将测出的实验值和TRIM软件得到的理论模拟值进行了比较,发现Rp的实验值与理论值符合较好,ΔRp的实验值和理论值差别大一些.结果表明,注入剂量一定时,注入能量越高,晶格损伤程度越高.1400℃的高温退火,可以实现6H-SiC的完美再晶化,但伴随着产生了Er原子向表面的外逸出.

English Abstract

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