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工作压强对硅掺杂辉光放电聚合物结构和性能的影响

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张颖, 何智兵, 闫建成, 李萍, 唐永建. 2011: 工作压强对硅掺杂辉光放电聚合物结构和性能的影响, 物理学报, 60(6): 578-583.
引用本文: 张颖, 何智兵, 闫建成, 李萍, 唐永建. 2011: 工作压强对硅掺杂辉光放电聚合物结构和性能的影响, 物理学报, 60(6): 578-583.
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Zhang Ying, He Zhi-Bing, Yan Jian-Cheng, Li Ping, Tang Yong-Jian. 2011: Influence of pressure on structure and properties of Si-doped glow discharge polymer film, Acta Physica Sinica, 60(6): 578-583.
Citation: Zhang Ying, He Zhi-Bing, Yan Jian-Cheng, Li Ping, Tang Yong-Jian. 2011: Influence of pressure on structure and properties of Si-doped glow discharge polymer film, Acta Physica Sinica, 60(6): 578-583.
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工作压强对硅掺杂辉光放电聚合物结构和性能的影响

  • 四川大学原子与分子物理研究所,成都610065;中国工程物理研究院激光聚变研究中心,绵阳621900

  • 中国工程物理研究院激光聚变研究中心,绵阳,621900

  • 四川大学原子与分子物理研究所,成都,610065

Influence of pressure on structure and properties of Si-doped glow discharge polymer film

  • 摘要: 采用辉光放电聚合技术,在不同工作压强条件下制备了掺硅的辉光放电聚合物(Si-GDP)薄膜.并采用傅里叶变换红外吸收光谱和X射线光电子能谱(XPS)对Si-GDP薄膜进行了表征,分析了压强变化对其内部结构及成分的影响.利用紫外-可见光谱对Si-GDP薄膜的光学带隙进行了分析.结果表明:Si-GDP薄膜中Si元素主要以Si-C,Si-H,Si-O,Si-CH3的键合形式存在;随着工作压强的增大,薄膜中Si-C键相对含量先减小后增加;从Si-GDP薄膜的XPS分析可以发现,C-C与C=C含量相对比值随压强的增大而减小.光学带隙的宽度也随压强的增大先减小后增加.
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出版历程
  • 刊出日期:  2011-06-30

工作压强对硅掺杂辉光放电聚合物结构和性能的影响

  • 四川大学原子与分子物理研究所,成都610065;中国工程物理研究院激光聚变研究中心,绵阳621900
  • 中国工程物理研究院激光聚变研究中心,绵阳,621900
  • 四川大学原子与分子物理研究所,成都,610065

摘要: 采用辉光放电聚合技术,在不同工作压强条件下制备了掺硅的辉光放电聚合物(Si-GDP)薄膜.并采用傅里叶变换红外吸收光谱和X射线光电子能谱(XPS)对Si-GDP薄膜进行了表征,分析了压强变化对其内部结构及成分的影响.利用紫外-可见光谱对Si-GDP薄膜的光学带隙进行了分析.结果表明:Si-GDP薄膜中Si元素主要以Si-C,Si-H,Si-O,Si-CH3的键合形式存在;随着工作压强的增大,薄膜中Si-C键相对含量先减小后增加;从Si-GDP薄膜的XPS分析可以发现,C-C与C=C含量相对比值随压强的增大而减小.光学带隙的宽度也随压强的增大先减小后增加.

English Abstract

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