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β-Zn4Sb3/Zn1-δAlδ O复合材料的制备及热电性能研究

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周丽梅, 李炜, 蒋俊, 陈建敏, 李勇, 许高杰. 2011: β-Zn4Sb3/Zn1-δAlδ O复合材料的制备及热电性能研究, 物理学报, 60(6): 610-615.
引用本文: 周丽梅, 李炜, 蒋俊, 陈建敏, 李勇, 许高杰. 2011: β-Zn4Sb3/Zn1-δAlδ O复合材料的制备及热电性能研究, 物理学报, 60(6): 610-615.
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Zhou Li-Mei, Li Wei, Jiang Jun, Chen Jian-Min, Li Yong, Xu Gao-Jie. 2011: Preparation and thermoelectric properties of β-Zn4Sb3/Zn1-δAlδO, Acta Physica Sinica, 60(6): 610-615.
Citation: Zhou Li-Mei, Li Wei, Jiang Jun, Chen Jian-Min, Li Yong, Xu Gao-Jie. 2011: Preparation and thermoelectric properties of β-Zn4Sb3/Zn1-δAlδO, Acta Physica Sinica, 60(6): 610-615.
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β-Zn4Sb3/Zn1-δAlδ O复合材料的制备及热电性能研究

  • 中国科学院宁波材料技术与工程研究所,宁波,315201

Preparation and thermoelectric properties of β-Zn4Sb3/Zn1-δAlδO

  • 摘要: 采用真空熔融淬火结合放电等离子烧结工艺制备了单相β-Zn4Sb3以及β-Zn4Sb3/Zn1-δAlδO复合热电材料,其中第二相Zn1-δAlδO(AZO)的含量分别为0.2 wt%,0.4 wt%和0.7 wt%.对材料的相组成和微结构进行了表征,并在300-673 K的温度范围内测量了其电导率、Seebeck系数和热导率.结果表明,掺杂AZO以后,材料的电导率增大,而Seebeck系数和热导率均有所降低.当AZO的含量为0.2wt%时,复合材料的ZT值在673 K达到1.16,而单相β-Zn4Sb3的ZT值约为1.03.
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出版历程
  • 刊出日期:  2011-06-30

β-Zn4Sb3/Zn1-δAlδ O复合材料的制备及热电性能研究

  • 中国科学院宁波材料技术与工程研究所,宁波,315201

摘要: 采用真空熔融淬火结合放电等离子烧结工艺制备了单相β-Zn4Sb3以及β-Zn4Sb3/Zn1-δAlδO复合热电材料,其中第二相Zn1-δAlδO(AZO)的含量分别为0.2 wt%,0.4 wt%和0.7 wt%.对材料的相组成和微结构进行了表征,并在300-673 K的温度范围内测量了其电导率、Seebeck系数和热导率.结果表明,掺杂AZO以后,材料的电导率增大,而Seebeck系数和热导率均有所降低.当AZO的含量为0.2wt%时,复合材料的ZT值在673 K达到1.16,而单相β-Zn4Sb3的ZT值约为1.03.

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