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XF3(X=N,P,As)价层电离势的运动方程耦合团簇理论计算

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唐海燕, 陈恒杰, 程新路, 周学平. 2011: XF3(X=N,P,As)价层电离势的运动方程耦合团簇理论计算, 物理学报, 60(5): 244-249.
引用本文: 唐海燕, 陈恒杰, 程新路, 周学平. 2011: XF3(X=N,P,As)价层电离势的运动方程耦合团簇理论计算, 物理学报, 60(5): 244-249.
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Tang Hai-Yan, Chen Heng-Jie, Cheng Xin-Lu, Zhou Xue-Ping. 2011: Theoretical calculation of valence shell ionization potentials of XF3 (X= N, P, As) using the equation-of-motion coupled cluster method, Acta Physica Sinica, 60(5): 244-249.
Citation: Tang Hai-Yan, Chen Heng-Jie, Cheng Xin-Lu, Zhou Xue-Ping. 2011: Theoretical calculation of valence shell ionization potentials of XF3 (X= N, P, As) using the equation-of-motion coupled cluster method, Acta Physica Sinica, 60(5): 244-249.
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XF3(X=N,P,As)价层电离势的运动方程耦合团簇理论计算

  • 重庆科技学院数理学院,重庆,401331

  • 四川大学原子与分子物理研究所,成都,610065

  • 国家知识产权局专利审查协作中心,北京,100190

Theoretical calculation of valence shell ionization potentials of XF3 (X= N, P, As) using the equation-of-motion coupled cluster method

  • 摘要: 采用运动方程单双取代耦合团簇理论(EOM-CCSD)对XF3(X=N,P,As)的价层垂直离势(VIP)进行了系统计算,同时对称匹配团簇组态相互作用(SAC-CI)、外价层格林函数(OVGF)以及部分三阶近似(P3)方法也被应用到目前计算.与已有的实验结果比较表明:EOM-CCSD计算的价层垂直电离势整体上与SAC-CI结果相近,而优于OVGF和P3理论结果,在整个价层上,EOM-CCSD结果与实验值总体差距约0.2 eV,在外价层这种差距相对较小,在内价层则有所增大.随基组增大EOM-CCSD计算得到的第一电离势与实验值差距迅速减小,约0.03 eV.根据SAC-CI,OVGF,P3和EOM-CCSD对NF3和PF3计算结果,判断AsF3第一电离势约为12.8 eV,而非12.3 eV,同时给出AsF3的价层电离势依次为12.64,15.23,16.30.17.37,18.05,21.98 eV.
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出版历程
  • 刊出日期:  2011-05-30

XF3(X=N,P,As)价层电离势的运动方程耦合团簇理论计算

  • 重庆科技学院数理学院,重庆,401331
  • 四川大学原子与分子物理研究所,成都,610065
  • 国家知识产权局专利审查协作中心,北京,100190

摘要: 采用运动方程单双取代耦合团簇理论(EOM-CCSD)对XF3(X=N,P,As)的价层垂直离势(VIP)进行了系统计算,同时对称匹配团簇组态相互作用(SAC-CI)、外价层格林函数(OVGF)以及部分三阶近似(P3)方法也被应用到目前计算.与已有的实验结果比较表明:EOM-CCSD计算的价层垂直电离势整体上与SAC-CI结果相近,而优于OVGF和P3理论结果,在整个价层上,EOM-CCSD结果与实验值总体差距约0.2 eV,在外价层这种差距相对较小,在内价层则有所增大.随基组增大EOM-CCSD计算得到的第一电离势与实验值差距迅速减小,约0.03 eV.根据SAC-CI,OVGF,P3和EOM-CCSD对NF3和PF3计算结果,判断AsF3第一电离势约为12.8 eV,而非12.3 eV,同时给出AsF3的价层电离势依次为12.64,15.23,16.30.17.37,18.05,21.98 eV.

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