基于Ⅲ-V与Ⅱ-Ⅵ族半导体材料色散特性的高灵敏度慢光干涉仪

蔡元学; 掌蕴东; 党博石; 吴昊; 王金芳; 袁萍

物理学报

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蔡元学, 掌蕴东, 党博石, 吴昊, 王金芳, 袁萍. 2011: 基于Ⅲ-V与Ⅱ-Ⅵ族半导体材料色散特性的高灵敏度慢光干涉仪, 物理学报, 60(4): 102-107.

引用本文:

蔡元学, 掌蕴东, 党博石, 吴昊, 王金芳, 袁萍. 2011: 基于Ⅲ-V与Ⅱ-Ⅵ族半导体材料色散特性的高灵敏度慢光干涉仪, 物理学报, 60(4): 102-107.

Cai Yuan-Xue, Zhang Yun-Dong, Dang Bo-Shi, Wu Hao, Wang Jin-Fang, Yuan Ping. 2011: High sensitivity slow light interferometer based on dispersive property of Ⅲ-Ⅴ and Ⅱ-Ⅵ semiconductor materials, Acta Physica Sinica, 60(4): 102-107.

Citation:

基于Ⅲ-V与Ⅱ-Ⅵ族半导体材料色散特性的高灵敏度慢光干涉仪

哈尔滨工业大学可调谐激光技术国家级重点实验室光电子技术研究所,哈尔滨,150080

High sensitivity slow light interferometer based on dispersive property of Ⅲ-Ⅴ and Ⅱ-Ⅵ semiconductor materials

摘要: 分析了Ⅲ-V与Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的光学特性,证明半导体慢光介质不但可以提高干涉仪的光谱灵敏度,而且可以获得远大于气体慢光介质的工作光谱范围.实验证明,基于慢光介质GaAs的干涉仪光谱灵敏度相对于传统的干涉仪提高约3.2倍.
- 干涉仪 /
- 非线性光学 /
- Ⅲ-V与Ⅱ-Ⅵ族半导体材料