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InAs/GaAs和InAs/InxGa1-xAs/GaAs纳米线异质结构的生长研究

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叶显, 黄辉, 任晓敏, 郭经纬, 黄永清, 王琦, 张霞. 2011: InAs/GaAs和InAs/InxGa1-xAs/GaAs纳米线异质结构的生长研究, 物理学报, 60(3): 421-426.
引用本文: 叶显, 黄辉, 任晓敏, 郭经纬, 黄永清, 王琦, 张霞. 2011: InAs/GaAs和InAs/InxGa1-xAs/GaAs纳米线异质结构的生长研究, 物理学报, 60(3): 421-426.
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Ye Xian, Huang Hui, Ren Xiao-Min, Guo Jing-Wei, Huang Yong-Qing, Wang Qi, Zhang Xia. 2011: Growths of InAs/GaAs and InAs/Inx Ga1-xAs/GaAs nanowire heterostructures, Acta Physica Sinica, 60(3): 421-426.
Citation: Ye Xian, Huang Hui, Ren Xiao-Min, Guo Jing-Wei, Huang Yong-Qing, Wang Qi, Zhang Xia. 2011: Growths of InAs/GaAs and InAs/Inx Ga1-xAs/GaAs nanowire heterostructures, Acta Physica Sinica, 60(3): 421-426.
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InAs/GaAs和InAs/InxGa1-xAs/GaAs纳米线异质结构的生长研究

  • 北京邮电大学,信息光子学与光通信教育部重点实验室,北京100876

Growths of InAs/GaAs and InAs/Inx Ga1-xAs/GaAs nanowire heterostructures

  • 摘要: 利用金辅助金属有机化学气相沉淀法(MOCVD)在GaAs(111)B衬底上分别制备了InAs/GaAs和InAs/InxGa1-xAs/GaAs(0≤x≤1)纳米线异质结构.实验结果显示,直接生长在GaAs纳米线上的InAs纳米线生长方向杂乱或者沿着GaAs纳米线侧壁向衬底方向生长,生长的含有InxGa1-xAs组分渐变缓冲段的InAs/InxGa1-xAs/GaAs 三段式纳米线异质结构在轴向上串接生长而形成双异质结构.通过插入三元化合物InxGa1-xAs渐变缓冲段可以有效的克服界面能差异和晶格失配带来的负面影响,提高纳米线的晶体质量和生长可控性.
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出版历程
  • 刊出日期:  2011-03-30

InAs/GaAs和InAs/InxGa1-xAs/GaAs纳米线异质结构的生长研究

  • 北京邮电大学,信息光子学与光通信教育部重点实验室,北京100876

摘要: 利用金辅助金属有机化学气相沉淀法(MOCVD)在GaAs(111)B衬底上分别制备了InAs/GaAs和InAs/InxGa1-xAs/GaAs(0≤x≤1)纳米线异质结构.实验结果显示,直接生长在GaAs纳米线上的InAs纳米线生长方向杂乱或者沿着GaAs纳米线侧壁向衬底方向生长,生长的含有InxGa1-xAs组分渐变缓冲段的InAs/InxGa1-xAs/GaAs 三段式纳米线异质结构在轴向上串接生长而形成双异质结构.通过插入三元化合物InxGa1-xAs渐变缓冲段可以有效的克服界面能差异和晶格失配带来的负面影响,提高纳米线的晶体质量和生长可控性.

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