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(001)面任意方向单轴应变硅材料能带结构

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马建立, 张鹤鸣, 宋建军, 王冠宇, 王晓艳. 2011: (001)面任意方向单轴应变硅材料能带结构, 物理学报, 60(2): 552-557.
引用本文: 马建立, 张鹤鸣, 宋建军, 王冠宇, 王晓艳. 2011: (001)面任意方向单轴应变硅材料能带结构, 物理学报, 60(2): 552-557.
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Ma Jian-Li, Zhang He-Ming, Song Jian-Jun, Wang Guan-Yu, Wang Xiao-Yan. 2011: Energy band structure of uniaxial-strained silicon material on the (001) surface arbitrary orientation, Acta Physica Sinica, 60(2): 552-557.
Citation: Ma Jian-Li, Zhang He-Ming, Song Jian-Jun, Wang Guan-Yu, Wang Xiao-Yan. 2011: Energy band structure of uniaxial-strained silicon material on the (001) surface arbitrary orientation, Acta Physica Sinica, 60(2): 552-557.
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(001)面任意方向单轴应变硅材料能带结构

  • 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071

Energy band structure of uniaxial-strained silicon material on the (001) surface arbitrary orientation

  • 摘要: 首先计算了(001)晶面单轴应变张量,在此基础上采用结合形变势理论的K·P微扰法建立了在(001)晶面内受任意方向的单轴压/张应力作用时,应变硅材料的能带结构与应力(类型、大小)及晶向的关系模型,进而分析了不同单轴应力(类型、大小)及晶向对应变硅材料导带带边、价带带边、导带分裂能、价带分裂能、禁带宽度的影响.研究结果可为单轴应变硅器件应力及晶向的选择设计提供理论依据.
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出版历程
  • 刊出日期:  2011-02-28

(001)面任意方向单轴应变硅材料能带结构

  • 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071

摘要: 首先计算了(001)晶面单轴应变张量,在此基础上采用结合形变势理论的K·P微扰法建立了在(001)晶面内受任意方向的单轴压/张应力作用时,应变硅材料的能带结构与应力(类型、大小)及晶向的关系模型,进而分析了不同单轴应力(类型、大小)及晶向对应变硅材料导带带边、价带带边、导带分裂能、价带分裂能、禁带宽度的影响.研究结果可为单轴应变硅器件应力及晶向的选择设计提供理论依据.

English Abstract

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