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晶粒尺寸对气相沉积薄膜磁取向生长的影响研究

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任树洋, 任忠鸣, 任维丽. 2011: 晶粒尺寸对气相沉积薄膜磁取向生长的影响研究, 物理学报, 60(1): 449-453.
引用本文: 任树洋, 任忠鸣, 任维丽. 2011: 晶粒尺寸对气相沉积薄膜磁取向生长的影响研究, 物理学报, 60(1): 449-453.
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Ren Shu-Yang, Ren Zhong-Ming, Ren Wei-Li. 2011: Influence of grain size on the magnetic orientation growth of films prepared by vapor deposition in high magnetic field, Acta Physica Sinica, 60(1): 449-453.
Citation: Ren Shu-Yang, Ren Zhong-Ming, Ren Wei-Li. 2011: Influence of grain size on the magnetic orientation growth of films prepared by vapor deposition in high magnetic field, Acta Physica Sinica, 60(1): 449-453.
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晶粒尺寸对气相沉积薄膜磁取向生长的影响研究

  • 上海大学材料科学与工程学院,上海,200072

Influence of grain size on the magnetic orientation growth of films prepared by vapor deposition in high magnetic field

  • 摘要: 为了研究强磁场下薄膜取向生长规律,采用真空蒸发气相沉积法分别制备了不同磁场方向生长的Zn和Bi薄膜.XRD结果发现磁化率差异较小的Zn薄膜在4T时产生了明显的取向生长,而磁化率差异较大的Bi薄膜在5T磁场强度还没有发生取向生长.SEM结果显示Zn薄膜和Bi薄膜晶粒尺寸上有明显的差别,利用Zn薄膜在4T磁场下的取向建立晶粒尺寸和取向生长的对应关系,提出薄膜发生取向时晶粒的磁化能须大于热能KT的420倍.薄膜是否发生取向生长取决于三个因素:薄膜单个晶粒的大小V,材料不同晶向的磁化率差异△x,施加磁场的大小B.
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出版历程
  • 刊出日期:  2011-01-30

晶粒尺寸对气相沉积薄膜磁取向生长的影响研究

  • 上海大学材料科学与工程学院,上海,200072

摘要: 为了研究强磁场下薄膜取向生长规律,采用真空蒸发气相沉积法分别制备了不同磁场方向生长的Zn和Bi薄膜.XRD结果发现磁化率差异较小的Zn薄膜在4T时产生了明显的取向生长,而磁化率差异较大的Bi薄膜在5T磁场强度还没有发生取向生长.SEM结果显示Zn薄膜和Bi薄膜晶粒尺寸上有明显的差别,利用Zn薄膜在4T磁场下的取向建立晶粒尺寸和取向生长的对应关系,提出薄膜发生取向时晶粒的磁化能须大于热能KT的420倍.薄膜是否发生取向生长取决于三个因素:薄膜单个晶粒的大小V,材料不同晶向的磁化率差异△x,施加磁场的大小B.

English Abstract

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