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光子晶体垂直腔面发射激光器的电流分布研究

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王宝强, 徐晨, 刘英明, 解意洋, 刘发, 赵振波, 周康, 沈光地. 2010: 光子晶体垂直腔面发射激光器的电流分布研究, 物理学报, 59(12): 8542-8547.
引用本文: 王宝强, 徐晨, 刘英明, 解意洋, 刘发, 赵振波, 周康, 沈光地. 2010: 光子晶体垂直腔面发射激光器的电流分布研究, 物理学报, 59(12): 8542-8547.
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Wang Bao-Qiang, Xu Chen, Liu Ying-Ming, Xie Yi-Yang, Liu Fa, Zhao Zhen-Bo, Zhou Kang, Shen Guang-Di. 2010: Study on current spreading of photonic crystal vertical cavity surface emitting lasers, Acta Physica Sinica, 59(12): 8542-8547.
Citation: Wang Bao-Qiang, Xu Chen, Liu Ying-Ming, Xie Yi-Yang, Liu Fa, Zhao Zhen-Bo, Zhou Kang, Shen Guang-Di. 2010: Study on current spreading of photonic crystal vertical cavity surface emitting lasers, Acta Physica Sinica, 59(12): 8542-8547.
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光子晶体垂直腔面发射激光器的电流分布研究

  • 北京工业大学北京市光电子技术实验室,北京,100124

Study on current spreading of photonic crystal vertical cavity surface emitting lasers

  • 摘要: 对氧化限制型外腔式光子晶体垂直腔面发射激光器注入到有源区的电流密度分布进行了分析研究.提出三维电流分布计算模型,研究了光子晶体结构对电流密度分布和器件串联电阻的影响.研究发现,光子晶体孔刻蚀深度越深,电流分布圆对称性越差,引起的串联电阻越大.不同光子晶体图案对电流分布的均匀性和圆对称性也有很大的影响.该模型对于研究、设计氧化限制型外腔式光子晶体垂直腔面发射激光器提供了一个有用的分析方法.
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出版历程
  • 刊出日期:  2010-12-30

光子晶体垂直腔面发射激光器的电流分布研究

  • 北京工业大学北京市光电子技术实验室,北京,100124

摘要: 对氧化限制型外腔式光子晶体垂直腔面发射激光器注入到有源区的电流密度分布进行了分析研究.提出三维电流分布计算模型,研究了光子晶体结构对电流密度分布和器件串联电阻的影响.研究发现,光子晶体孔刻蚀深度越深,电流分布圆对称性越差,引起的串联电阻越大.不同光子晶体图案对电流分布的均匀性和圆对称性也有很大的影响.该模型对于研究、设计氧化限制型外腔式光子晶体垂直腔面发射激光器提供了一个有用的分析方法.

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