高级搜索

C/SiC纳米管异质结电子结构的第一性原理研究

,  ,  ,  , 

downloadPDF

上一篇

下一篇

朱兴华, 张海波, 杨定宇, 王治国, 祖小涛. 2010: C/SiC纳米管异质结电子结构的第一性原理研究, 物理学报, 59(11): 7961-7965.
引用本文: 朱兴华, 张海波, 杨定宇, 王治国, 祖小涛. 2010: C/SiC纳米管异质结电子结构的第一性原理研究, 物理学报, 59(11): 7961-7965.
shu
Zhu Xing-Hua, Zhang Hai-Bo, Yang Ding-Yu, Wang Zhi-Guo, Zu Xiao-Tao. 2010: First principles study of electronic properties of carbon/silicon carbide nanotube heterojunction, Acta Physica Sinica, 59(11): 7961-7965.
Citation: Zhu Xing-Hua, Zhang Hai-Bo, Yang Ding-Yu, Wang Zhi-Guo, Zu Xiao-Tao. 2010: First principles study of electronic properties of carbon/silicon carbide nanotube heterojunction, Acta Physica Sinica, 59(11): 7961-7965.
shu

C/SiC纳米管异质结电子结构的第一性原理研究

  • 成都信息工程学院光电技术学院,成都610225;电子科技大学物理电子学院,成都610054

  • 成都信息工程学院光电技术学院,成都,610225

  • 电子科技大学物理电子学院,成都,610054

First principles study of electronic properties of carbon/silicon carbide nanotube heterojunction

  • 摘要: 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,对扶手椅型(4,4)和(6,6)及锯齿型(8,0)和(10,0)C/SiC纳米管异质结的电子结构进行了研究,结果表明两类异质结结构都表现为半导体特性,扶手椅型纳米管异质结形成了Ⅰ型异质结,电子和空穴都限制在碳纳米管部分.锯齿型纳米管异质结中价带顶主要分布在碳纳米管部分及C/SiC界面处,而导带底均匀分布在整个纳米管异质结上.这两种异质结结构在未来纳米器件中具有潜在的应用价值.
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  495
  • HTML全文浏览数:  26
  • PDF下载数:  0
  • 施引文献:  0
出版历程

C/SiC纳米管异质结电子结构的第一性原理研究

  • 成都信息工程学院光电技术学院,成都610225;电子科技大学物理电子学院,成都610054
  • 成都信息工程学院光电技术学院,成都,610225
  • 电子科技大学物理电子学院,成都,610054

摘要: 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,对扶手椅型(4,4)和(6,6)及锯齿型(8,0)和(10,0)C/SiC纳米管异质结的电子结构进行了研究,结果表明两类异质结结构都表现为半导体特性,扶手椅型纳米管异质结形成了Ⅰ型异质结,电子和空穴都限制在碳纳米管部分.锯齿型纳米管异质结中价带顶主要分布在碳纳米管部分及C/SiC界面处,而导带底均匀分布在整个纳米管异质结上.这两种异质结结构在未来纳米器件中具有潜在的应用价值.

English Abstract

    全文HTML

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回