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GaAs(001)衬底上分子束外延生长InNSb单晶薄膜

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张燕辉, 陈平平, 李天信, 殷豪. 2010: GaAs(001)衬底上分子束外延生长InNSb单晶薄膜, 物理学报, 59(11): 8026-8030.
引用本文: 张燕辉, 陈平平, 李天信, 殷豪. 2010: GaAs(001)衬底上分子束外延生长InNSb单晶薄膜, 物理学报, 59(11): 8026-8030.
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Zhang Yan-Hui, Chen Ping-Ping, Li Tian-Xin, Yin Hao. 2010: InNSb single crystal films prepared on GaAs(001)substrates by molecular beam epitaxy, Acta Physica Sinica, 59(11): 8026-8030.
Citation: Zhang Yan-Hui, Chen Ping-Ping, Li Tian-Xin, Yin Hao. 2010: InNSb single crystal films prepared on GaAs(001)substrates by molecular beam epitaxy, Acta Physica Sinica, 59(11): 8026-8030.
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GaAs(001)衬底上分子束外延生长InNSb单晶薄膜

  • 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083

InNSb single crystal films prepared on GaAs(001)substrates by molecular beam epitaxy

  • 摘要: 利用射频氮等离子辅助分子束外延(RF-MBE)技术在GaAs(001)衬底上生长稀氮InNSb半导体薄膜,并通过原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和托曼散射光谱等测量手段对样品的微结构和N组分等进行了表征.结果显示样品有较好的晶体质量,N组分可高达0.84%(XRD的结果).本文还对样品的输运性质进行了表征,结果显示样品在室温下具有较低的载流子浓度和较高的迁移率.另外,初步研究表明在InSb中掺入N可导致其室温磁阻明显下降.
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出版历程

GaAs(001)衬底上分子束外延生长InNSb单晶薄膜

  • 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083

摘要: 利用射频氮等离子辅助分子束外延(RF-MBE)技术在GaAs(001)衬底上生长稀氮InNSb半导体薄膜,并通过原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和托曼散射光谱等测量手段对样品的微结构和N组分等进行了表征.结果显示样品有较好的晶体质量,N组分可高达0.84%(XRD的结果).本文还对样品的输运性质进行了表征,结果显示样品在室温下具有较低的载流子浓度和较高的迁移率.另外,初步研究表明在InSb中掺入N可导致其室温磁阻明显下降.

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