高级搜索

高阻氮化镓外延层的异常光吸收

,  ,  ,  ,  ,  , 

downloadPDF

上一篇

下一篇

刘文宝, 赵德刚, 江德生, 刘宗顺, 朱建军, 张书明, 杨辉. 2010: 高阻氮化镓外延层的异常光吸收, 物理学报, 59(11): 8048-8051.
引用本文: 刘文宝, 赵德刚, 江德生, 刘宗顺, 朱建军, 张书明, 杨辉. 2010: 高阻氮化镓外延层的异常光吸收, 物理学报, 59(11): 8048-8051.
shu
Liu Wen-Bao, Zhao De-Gang, Jiang De-Sheng, Liu Zong-Shun, Zhu Jian-Jun, Zhang Shu-Ming, Yang Hui. 2010: Abnormal photoabsorption in high resistance GaN epilayer, Acta Physica Sinica, 59(11): 8048-8051.
Citation: Liu Wen-Bao, Zhao De-Gang, Jiang De-Sheng, Liu Zong-Shun, Zhu Jian-Jun, Zhang Shu-Ming, Yang Hui. 2010: Abnormal photoabsorption in high resistance GaN epilayer, Acta Physica Sinica, 59(11): 8048-8051.
shu

高阻氮化镓外延层的异常光吸收

  • 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室,北京,100083

Abnormal photoabsorption in high resistance GaN epilayer

  • 摘要: 通过光伏谱(PV)的测量发现,采用MOCVD方法生长的非故意掺杂GaN外延膜,电阻较大的样品在带隙内有明显的异常光吸收.吸收峰的能量位置表明这种异常吸收可能与激子有关.在这些高阻样品上制作的MSM型探测器,当入射光照射不同位置,其光谱响应显示了区域不一致性.20 V偏压下反向偏置结处的光谱响应比正向偏置结处的光谱响应大一个数量级左右,峰值响应的位置也发生明显红移现象,红移的能量约为28 meV,并且几乎不随环境温度变化.根据MSM结构的电场分布不均以及带边和激子响应对电场的依赖性不同,MSM型探测器的这种区域响应不一致性可以得到很好的解释.
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  360
  • HTML全文浏览数:  40
  • PDF下载数:  0
  • 施引文献:  0
出版历程
  • 刊出日期:  2010-11-30

高阻氮化镓外延层的异常光吸收

  • 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室,北京,100083

摘要: 通过光伏谱(PV)的测量发现,采用MOCVD方法生长的非故意掺杂GaN外延膜,电阻较大的样品在带隙内有明显的异常光吸收.吸收峰的能量位置表明这种异常吸收可能与激子有关.在这些高阻样品上制作的MSM型探测器,当入射光照射不同位置,其光谱响应显示了区域不一致性.20 V偏压下反向偏置结处的光谱响应比正向偏置结处的光谱响应大一个数量级左右,峰值响应的位置也发生明显红移现象,红移的能量约为28 meV,并且几乎不随环境温度变化.根据MSM结构的电场分布不均以及带边和激子响应对电场的依赖性不同,MSM型探测器的这种区域响应不一致性可以得到很好的解释.

English Abstract

    全文HTML

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回