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二维GaAs基光子晶体微腔的制作与光谱特性分析

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彭银生, 叶小玲, 徐波, 牛洁斌, 贾锐, 王占国, 梁松, 杨晓红. 2010: 二维GaAs基光子晶体微腔的制作与光谱特性分析, 物理学报, 59(10): 7073-7077.
引用本文: 彭银生, 叶小玲, 徐波, 牛洁斌, 贾锐, 王占国, 梁松, 杨晓红. 2010: 二维GaAs基光子晶体微腔的制作与光谱特性分析, 物理学报, 59(10): 7073-7077.
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Peng Yin-Sheng, Ye Xiao-Ling, Xu Bo, Niu Jie-Bin, Jia Rui, Wang Zhan-Guo, Liang Song, Yang Xiao-Hong. 2010: Fabrication and luminescence characterization of two-dimensional GaAs-based photonic crystal nanocavities, Acta Physica Sinica, 59(10): 7073-7077.
Citation: Peng Yin-Sheng, Ye Xiao-Ling, Xu Bo, Niu Jie-Bin, Jia Rui, Wang Zhan-Guo, Liang Song, Yang Xiao-Hong. 2010: Fabrication and luminescence characterization of two-dimensional GaAs-based photonic crystal nanocavities, Acta Physica Sinica, 59(10): 7073-7077.
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二维GaAs基光子晶体微腔的制作与光谱特性分析

  • 中国科学院半导体研究所,半导体材料重点实验室,北京,100083;浙江工业大学信息工程学院,杭州,310023

  • 中国科学院半导体研究所,半导体材料重点实验室,北京,100083

  • 中国科学院微电子研究所,北京,100029

  • 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083

Fabrication and luminescence characterization of two-dimensional GaAs-based photonic crystal nanocavities

  • 摘要: 研究了以InAs量子点为有源区的二维GaAs基光子晶体微腔的设计与制作,测试并分析了室温下微腔的光谱特性.观察到了波长约为1137 nm,谱线半高宽度约为1 nm的尖锐低阶谐振模式发光峰.我们比较了不同刻蚀条件下光子晶体微腔的发光谱线,结果表明空气孔洞截面的垂直度是影响光子晶体微腔发光特性的重要因素之一.通过调节干法刻蚀工艺,改变空气孔半径与晶格常数的比率,可以在较大范围内调节谐振模式发光峰位置,达到谐振模式与量子点发光峰调谐的目的.
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出版历程
  • 刊出日期:  2010-10-30

二维GaAs基光子晶体微腔的制作与光谱特性分析

  • 中国科学院半导体研究所,半导体材料重点实验室,北京,100083;浙江工业大学信息工程学院,杭州,310023
  • 中国科学院半导体研究所,半导体材料重点实验室,北京,100083
  • 中国科学院微电子研究所,北京,100029
  • 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083

摘要: 研究了以InAs量子点为有源区的二维GaAs基光子晶体微腔的设计与制作,测试并分析了室温下微腔的光谱特性.观察到了波长约为1137 nm,谱线半高宽度约为1 nm的尖锐低阶谐振模式发光峰.我们比较了不同刻蚀条件下光子晶体微腔的发光谱线,结果表明空气孔洞截面的垂直度是影响光子晶体微腔发光特性的重要因素之一.通过调节干法刻蚀工艺,改变空气孔半径与晶格常数的比率,可以在较大范围内调节谐振模式发光峰位置,达到谐振模式与量子点发光峰调谐的目的.

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