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采用Si薄膜的光子计数成像系统性能的研究

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赵菲菲, 刘永安, 胡慧君, 赵宝升. 2010: 采用Si薄膜的光子计数成像系统性能的研究, 物理学报, 59(10): 7096-7104.
引用本文: 赵菲菲, 刘永安, 胡慧君, 赵宝升. 2010: 采用Si薄膜的光子计数成像系统性能的研究, 物理学报, 59(10): 7096-7104.
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Zhao Fei-Fei, Liu Yong-An, Hu Hui-Jun, Zhao Bao-Sheng. 2010: Properties of photon counting imaging system with Si thin films, Acta Physica Sinica, 59(10): 7096-7104.
Citation: Zhao Fei-Fei, Liu Yong-An, Hu Hui-Jun, Zhao Bao-Sheng. 2010: Properties of photon counting imaging system with Si thin films, Acta Physica Sinica, 59(10): 7096-7104.
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采用Si薄膜的光子计数成像系统性能的研究

  • 中国科学院西安光学精密机械研究所,瞬态光学与光子技术国家重点实验室,西安,710119;中国科学院研究生院,北京,100039

  • 中国科学院西安光学精密机械研究所,瞬态光学与光子技术国家重点实验室,西安,710119

Properties of photon counting imaging system with Si thin films

  • 摘要: 在陶瓷基底上利用电子束蒸镀方法制备了Si薄膜,用作感应读出方式光子计数成像系统的电荷感应层,并研究了薄膜的结构特征和表面形态.X射线衍射(XRD)测试和场发射扫描电子显微镜(FESEM)图像表明,沉积的Si薄膜为无定形态,由于陶瓷晶界的存在,薄膜较粗糙.搭建了相应的实验系统,对比了采用不同厚度Si薄膜时系统的空间分辨率、计数率、脉冲高度分布曲线等,发现薄膜的厚度对探测器的计数率影响较大.此外,实验还对比了采用相同电阻值的Si薄膜和常用的Ge薄膜时系统的性能.研究表明,采用Si薄膜时系统的畸变较小、计数率高、暗计数小.
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出版历程
  • 刊出日期:  2010-10-30

采用Si薄膜的光子计数成像系统性能的研究

  • 中国科学院西安光学精密机械研究所,瞬态光学与光子技术国家重点实验室,西安,710119;中国科学院研究生院,北京,100039
  • 中国科学院西安光学精密机械研究所,瞬态光学与光子技术国家重点实验室,西安,710119

摘要: 在陶瓷基底上利用电子束蒸镀方法制备了Si薄膜,用作感应读出方式光子计数成像系统的电荷感应层,并研究了薄膜的结构特征和表面形态.X射线衍射(XRD)测试和场发射扫描电子显微镜(FESEM)图像表明,沉积的Si薄膜为无定形态,由于陶瓷晶界的存在,薄膜较粗糙.搭建了相应的实验系统,对比了采用不同厚度Si薄膜时系统的空间分辨率、计数率、脉冲高度分布曲线等,发现薄膜的厚度对探测器的计数率影响较大.此外,实验还对比了采用相同电阻值的Si薄膜和常用的Ge薄膜时系统的性能.研究表明,采用Si薄膜时系统的畸变较小、计数率高、暗计数小.

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