非平衡磁控溅射双势阱静电波动及其共振耦合

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牟宗信, 牟晓东, 贾莉, 王春, 董闯. 2010: 非平衡磁控溅射双势阱静电波动及其共振耦合, 物理学报, 59(10): 7164-7169.
引用本文: 牟宗信, 牟晓东, 贾莉, 王春, 董闯. 2010: 非平衡磁控溅射双势阱静电波动及其共振耦合, 物理学报, 59(10): 7164-7169.
Mu Zong-Xin, Mu Xiao-Dong, Jia Li, Wang Chun, Dong Chuang. 2010: Electrostatic oscillation and coupling resonance in double trap of unbalanced magnetron sputtering, Acta Physica Sinica, 59(10): 7164-7169.
Citation: Mu Zong-Xin, Mu Xiao-Dong, Jia Li, Wang Chun, Dong Chuang. 2010: Electrostatic oscillation and coupling resonance in double trap of unbalanced magnetron sputtering, Acta Physica Sinica, 59(10): 7164-7169.

非平衡磁控溅射双势阱静电波动及其共振耦合

Electrostatic oscillation and coupling resonance in double trap of unbalanced magnetron sputtering

  • 摘要: 非平衡磁控靶表面电场和磁场相互正交构成磁阱结构,磁控靶和与之平行的偏压基片之间形成了另一种势阱结构,等离子体静电波动在这两种势阱结构中形成耦合共振.采用Langmuir探针研究等离子体中参数和浮置电位信号的功率谱密度.典型放电条件下两种势阱结构中的本征频率分别约为30-50 kHz和10-20 kHz,两种势阱条件下根据声驻波共振模式计算的电子温度数值与实验结果相符合.
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出版历程
  • 刊出日期:  2010-10-30

非平衡磁控溅射双势阱静电波动及其共振耦合

  • 大连理工大学物理与光电工程学院,三束材料改性教育部重点实验室,大连116024

摘要: 非平衡磁控靶表面电场和磁场相互正交构成磁阱结构,磁控靶和与之平行的偏压基片之间形成了另一种势阱结构,等离子体静电波动在这两种势阱结构中形成耦合共振.采用Langmuir探针研究等离子体中参数和浮置电位信号的功率谱密度.典型放电条件下两种势阱结构中的本征频率分别约为30-50 kHz和10-20 kHz,两种势阱条件下根据声驻波共振模式计算的电子温度数值与实验结果相符合.

English Abstract

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