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基于等离子体增强化学气相沉积技术的光电子器件多层抗反膜的设计和制作

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袁贺, 孙长征, 徐建明, 武庆, 熊兵, 罗毅. 2010: 基于等离子体增强化学气相沉积技术的光电子器件多层抗反膜的设计和制作, 物理学报, 59(10): 7239-7244.
引用本文: 袁贺, 孙长征, 徐建明, 武庆, 熊兵, 罗毅. 2010: 基于等离子体增强化学气相沉积技术的光电子器件多层抗反膜的设计和制作, 物理学报, 59(10): 7239-7244.
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Yuan He, Sun Chang-Zheng, Xu Jian-Ming, Wu Qing, Xiong Bing, Luo Yi. 2010: Design and fabrication of multilayer antireflection coating for optoelectronic devices by plasma enhanced chemical vapor deposition, Acta Physica Sinica, 59(10): 7239-7244.
Citation: Yuan He, Sun Chang-Zheng, Xu Jian-Ming, Wu Qing, Xiong Bing, Luo Yi. 2010: Design and fabrication of multilayer antireflection coating for optoelectronic devices by plasma enhanced chemical vapor deposition, Acta Physica Sinica, 59(10): 7239-7244.
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基于等离子体增强化学气相沉积技术的光电子器件多层抗反膜的设计和制作

  • 清华大学电子工程系,清华信息科学与技术国家实验室,集成光电子学国家重点实验室,北京100084

Design and fabrication of multilayer antireflection coating for optoelectronic devices by plasma enhanced chemical vapor deposition

  • 摘要: 针对光电子器件端面抗反镀膜的要求,研究了基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术的多层抗反膜的设计和制作.首先,对影响SiNx折射率的因素进行了实验研究,确定了具有大折射率差的SiO2/SiNx材料的PECVD沉积条件.根据理论计算分析,设计了四层SiO2/SiNx抗反膜结构,能够在70 nm的波长范围内实现低于10-4的反射率,并且当单层膜厚度变化在±5 nm以内时,中心波长1550 nm处的反射率低于5×10-4.根据计算结果,在F-P激光器端面进行了SiO2/SiNx多层抗反镀膜的制作.对输出光功率谱的测试分析表明,在1535-1565 nm范围内的残余反射率达到了10-4量级.
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出版历程
  • 刊出日期:  2010-10-30

基于等离子体增强化学气相沉积技术的光电子器件多层抗反膜的设计和制作

  • 清华大学电子工程系,清华信息科学与技术国家实验室,集成光电子学国家重点实验室,北京100084

摘要: 针对光电子器件端面抗反镀膜的要求,研究了基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术的多层抗反膜的设计和制作.首先,对影响SiNx折射率的因素进行了实验研究,确定了具有大折射率差的SiO2/SiNx材料的PECVD沉积条件.根据理论计算分析,设计了四层SiO2/SiNx抗反膜结构,能够在70 nm的波长范围内实现低于10-4的反射率,并且当单层膜厚度变化在±5 nm以内时,中心波长1550 nm处的反射率低于5×10-4.根据计算结果,在F-P激光器端面进行了SiO2/SiNx多层抗反镀膜的制作.对输出光功率谱的测试分析表明,在1535-1565 nm范围内的残余反射率达到了10-4量级.

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