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强流脉冲电子束作用下金属纯Cu的微观结构状态——空位簇缺陷及表面微孔结构

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王雪涛, 关庆丰, 邱冬华, 程秀围, 李艳, 彭冬晋, 顾倩倩. 2010: 强流脉冲电子束作用下金属纯Cu的微观结构状态——空位簇缺陷及表面微孔结构, 物理学报, 59(10): 7252-7257.
引用本文: 王雪涛, 关庆丰, 邱冬华, 程秀围, 李艳, 彭冬晋, 顾倩倩. 2010: 强流脉冲电子束作用下金属纯Cu的微观结构状态——空位簇缺陷及表面微孔结构, 物理学报, 59(10): 7252-7257.
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Wang Xue-Tao, Guan Qing-Feng, Qiu Dong-Hua, Cheng Xiu-Wei, Li Yan Peng, Dong-Jin, Gu Qian-Qian. 2010: Defect microstructures in polycrystalline pure copper induced by high-current pulsed electron beam——the vacancy defect clusters and surface micropores, Acta Physica Sinica, 59(10): 7252-7257.
Citation: Wang Xue-Tao, Guan Qing-Feng, Qiu Dong-Hua, Cheng Xiu-Wei, Li Yan Peng, Dong-Jin, Gu Qian-Qian. 2010: Defect microstructures in polycrystalline pure copper induced by high-current pulsed electron beam——the vacancy defect clusters and surface micropores, Acta Physica Sinica, 59(10): 7252-7257.
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强流脉冲电子束作用下金属纯Cu的微观结构状态——空位簇缺陷及表面微孔结构

  • 江苏大学材料科学与工程学院,镇江,212013

Defect microstructures in polycrystalline pure copper induced by high-current pulsed electron beam——the vacancy defect clusters and surface micropores

  • 摘要: 利用强流脉冲(HCPEB)电子束技术对多晶纯Cu进行了辐照处理,并利用透射电镜对HCPEB诱发的空位簇缺陷进行了表征.实验结果表明,HCPEP辐照金属可在纯Cu表层诱发大量的过饱和空位,并形成四方形空位胞及空位型位错圈和堆垛层错四面体(SFT),HCPEB瞬间的加热和冷却诱发的幅值极大的应力和极高的应变导致的整个原子平面的位移是空位簇缺陷形成的主要原因.此外,扫描电镜分析表明HCPEB辐照可以在纯Cu表面形成高密度、弥散分布和尺寸细小的微孔.过饱和空位或空位团簇沿晶体缺陷向表面扩散、凝聚是表面微孔形成的根本原因.这表明HCPEB技术有可能成为一种快速制备金属表面多孔材料的新方法.
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出版历程
  • 刊出日期:  2010-10-30

强流脉冲电子束作用下金属纯Cu的微观结构状态——空位簇缺陷及表面微孔结构

  • 江苏大学材料科学与工程学院,镇江,212013

摘要: 利用强流脉冲(HCPEB)电子束技术对多晶纯Cu进行了辐照处理,并利用透射电镜对HCPEB诱发的空位簇缺陷进行了表征.实验结果表明,HCPEP辐照金属可在纯Cu表层诱发大量的过饱和空位,并形成四方形空位胞及空位型位错圈和堆垛层错四面体(SFT),HCPEB瞬间的加热和冷却诱发的幅值极大的应力和极高的应变导致的整个原子平面的位移是空位簇缺陷形成的主要原因.此外,扫描电镜分析表明HCPEB辐照可以在纯Cu表面形成高密度、弥散分布和尺寸细小的微孔.过饱和空位或空位团簇沿晶体缺陷向表面扩散、凝聚是表面微孔形成的根本原因.这表明HCPEB技术有可能成为一种快速制备金属表面多孔材料的新方法.

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