高级搜索

增强型AlGaN/CaN高电子迁移率晶体管高温退火研究

,  ,  ,  ,  , 

downloadPDF

上一篇

下一篇

王冲, 全思, 马晓华, 郝跃, 张进城, 毛维. 2010: 增强型AlGaN/CaN高电子迁移率晶体管高温退火研究, 物理学报, 59(10): 7333-7337.
引用本文: 王冲, 全思, 马晓华, 郝跃, 张进城, 毛维. 2010: 增强型AlGaN/CaN高电子迁移率晶体管高温退火研究, 物理学报, 59(10): 7333-7337.
shu
Wang Chong, Quan Si, Ma Xiao-Hua, Hao Yue, Zhang Jin-gheng, Mao Wei. 2010: High temperature annealing of enhancement-mode AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors, Acta Physica Sinica, 59(10): 7333-7337.
Citation: Wang Chong, Quan Si, Ma Xiao-Hua, Hao Yue, Zhang Jin-gheng, Mao Wei. 2010: High temperature annealing of enhancement-mode AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors, Acta Physica Sinica, 59(10): 7333-7337.
shu

增强型AlGaN/CaN高电子迁移率晶体管高温退火研究

  • 宽禁带半导体材科与器件重点实验室,西安电子科技大学微电子学院,西安710071

High temperature annealing of enhancement-mode AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors

  • 摘要: 深入研究了两种增强型.AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)高温退火前后的直流特性变化.槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT在500℃N,中退火5 min后,阈值电压由0.12 V正向移动到0.57 V,器件Schottky反向栅漏电流减小一个数量级.F注入增强型AlGaN/GaN HEMT在400℃N2中退火2 min后,器件阈值电压由0.23 V负向移动到-0.69 V,栅泄漏电流明显增大.槽栅增强型器件退火过程中Schottky有效势垒提高,增强了栅对沟道载流子的耗尽能力,使器件阈值电压正方向移动,同时降低了栅反向漏电流,而且使得栅能工作在更高能的正向栅压下.F注入增强型器件在退火后由于F离子对二维电子气的耗尽作用在退火后减弱,造成阈值电压负方向移动;F注入对势垒的提高作用在退火后有所减弱,引起了Schottky泄漏电流明显增大.退火后F注入增强型器件的沟道电子迁移率得到明显恢复.
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  460
  • HTML全文浏览数:  71
  • PDF下载数:  0
  • 施引文献:  0
出版历程
  • 刊出日期:  2010-10-30

增强型AlGaN/CaN高电子迁移率晶体管高温退火研究

  • 宽禁带半导体材科与器件重点实验室,西安电子科技大学微电子学院,西安710071

摘要: 深入研究了两种增强型.AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)高温退火前后的直流特性变化.槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT在500℃N,中退火5 min后,阈值电压由0.12 V正向移动到0.57 V,器件Schottky反向栅漏电流减小一个数量级.F注入增强型AlGaN/GaN HEMT在400℃N2中退火2 min后,器件阈值电压由0.23 V负向移动到-0.69 V,栅泄漏电流明显增大.槽栅增强型器件退火过程中Schottky有效势垒提高,增强了栅对沟道载流子的耗尽能力,使器件阈值电压正方向移动,同时降低了栅反向漏电流,而且使得栅能工作在更高能的正向栅压下.F注入增强型器件在退火后由于F离子对二维电子气的耗尽作用在退火后减弱,造成阈值电压负方向移动;F注入对势垒的提高作用在退火后有所减弱,引起了Schottky泄漏电流明显增大.退火后F注入增强型器件的沟道电子迁移率得到明显恢复.

English Abstract

    全文HTML

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回