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铒离子注入6H-SiC的横向离散研究

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秦希峰, 王凤翔, 梁毅, 付刚, 赵优美. 2010: 铒离子注入6H-SiC的横向离散研究, 物理学报, 59(9): 6390-6393.
引用本文: 秦希峰, 王凤翔, 梁毅, 付刚, 赵优美. 2010: 铒离子注入6H-SiC的横向离散研究, 物理学报, 59(9): 6390-6393.
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Qin Xi-Feng, Wang Feng-Xiang, Liang Yi, Fu Gang, Zhao You-Mei. 2010: Investigation of the lateral spread of Er ions implanted in 6H-SiC, Acta Physica Sinica, 59(9): 6390-6393.
Citation: Qin Xi-Feng, Wang Feng-Xiang, Liang Yi, Fu Gang, Zhao You-Mei. 2010: Investigation of the lateral spread of Er ions implanted in 6H-SiC, Acta Physica Sinica, 59(9): 6390-6393.
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铒离子注入6H-SiC的横向离散研究

  • 山东建筑大学理学院,济南,250101

Investigation of the lateral spread of Er ions implanted in 6H-SiC

  • 摘要: 利用离子注入掺杂技术设计、制作半导体集成器件时,了解离子注入半导体材料的射程分布、射程离散和横向离散规律等是很重要的.用400 keV能量的铒(Er)离子分别与样品表面法线方向成0°,45°和60°倾角注入碳化硅(6H-SiC)晶体中,利用卢瑟福背散射技术研究了剂量为5×1015cm-2.的400 keV Er离子注入6H-SiC晶体的横向离散.测出的实验值与TRIM'98和SRIM 2006得到的理论模拟值进行了比较,发现实验值跟TRIM'98和SRIM 2006计算的理论值都符合较好,TRIM'98计算的理论值与试验值符合得更好一些.
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出版历程
  • 刊出日期:  2010-09-30

铒离子注入6H-SiC的横向离散研究

  • 山东建筑大学理学院,济南,250101

摘要: 利用离子注入掺杂技术设计、制作半导体集成器件时,了解离子注入半导体材料的射程分布、射程离散和横向离散规律等是很重要的.用400 keV能量的铒(Er)离子分别与样品表面法线方向成0°,45°和60°倾角注入碳化硅(6H-SiC)晶体中,利用卢瑟福背散射技术研究了剂量为5×1015cm-2.的400 keV Er离子注入6H-SiC晶体的横向离散.测出的实验值与TRIM'98和SRIM 2006得到的理论模拟值进行了比较,发现实验值跟TRIM'98和SRIM 2006计算的理论值都符合较好,TRIM'98计算的理论值与试验值符合得更好一些.

English Abstract

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