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掺Ga对ZnO电子态密度和光学性质的影响

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刘建军. 2010: 掺Ga对ZnO电子态密度和光学性质的影响, 物理学报, 59(9): 6466-6472.
引用本文: 刘建军. 2010: 掺Ga对ZnO电子态密度和光学性质的影响, 物理学报, 59(9): 6466-6472.
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Liu Jian-Jun. 2010: The effect on electronic density of states and optical properties of ZnO by doping Ga, Acta Physica Sinica, 59(9): 6466-6472.
Citation: Liu Jian-Jun. 2010: The effect on electronic density of states and optical properties of ZnO by doping Ga, Acta Physica Sinica, 59(9): 6466-6472.
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掺Ga对ZnO电子态密度和光学性质的影响

  • 淮北师范大学物理与电子信息学院,淮北,235000

    • 通讯作者: 刘建军

The effect on electronic density of states and optical properties of ZnO by doping Ga

    Corresponding author: Liu Jian-Jun

  • 摘要: 采用密度泛函理论下的第一性原理平面波赝势方法,研究了掺Ga对纤锌矿ZnO电子态密度和光学性质的影响.从晶体配位场理论分析了掺Ga前后ZnO的成键情况及态密度的变化.计算得到掺Ga后电子浓度为2.42×1021cm-3,ZnO的载流子浓度提高了104倍.比较分析掺Ga前后ZnO的介电函数、复折射率、吸收光谱和反射光谱可得,ZnO光吸收边向高能端移动,光学带隙增大.在可见光区,ZnO光吸收系数与反射率减小,光透过率显著提高,使ZnO:Ga成为理想的透明导电材料.
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出版历程
  • 刊出日期:  2010-09-30

掺Ga对ZnO电子态密度和光学性质的影响

    通讯作者: 刘建军
  • 淮北师范大学物理与电子信息学院,淮北,235000

摘要: 采用密度泛函理论下的第一性原理平面波赝势方法,研究了掺Ga对纤锌矿ZnO电子态密度和光学性质的影响.从晶体配位场理论分析了掺Ga前后ZnO的成键情况及态密度的变化.计算得到掺Ga后电子浓度为2.42×1021cm-3,ZnO的载流子浓度提高了104倍.比较分析掺Ga前后ZnO的介电函数、复折射率、吸收光谱和反射光谱可得,ZnO光吸收边向高能端移动,光学带隙增大.在可见光区,ZnO光吸收系数与反射率减小,光透过率显著提高,使ZnO:Ga成为理想的透明导电材料.

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